半导体制造工艺_12薄膜沉积(上).pptVIP

Chemical Vapor Deposition (CVD) Single crystal (epitaxy) 化学气相淀积（CVD） 单晶 (外延）、多晶、非晶（无定型）薄膜 半导体、介质、金属薄膜 常压化学气相淀积（APCVD），低压CVD (LPCVD)，等离子体增强淀积（PECVD）等 半导体制造工艺基础 第八章 薄膜淀积 (上) 半导体薄膜：Si 介质薄膜：SiO2，Si3N4, BPSG，… 金属薄膜：Al，Cu，W，Ti，… 在集成电路制备中，很多薄膜材料由淀积工艺形成 单晶薄膜：Si, SiGe（外延） 多晶薄膜：poly-Si Deposition 1）化学气相淀积 — Chemical Vapor Deposition (CVD) 一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底表面发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。 例如：APCVD, LPCVD, PECVD, HDPCVD 2）物理气相淀积 — Physical Vapor Deposition (PVD) 利用某种物理过程实现物质的转移，即将原子或分子转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜的技术。 例如：蒸发 evaporation，溅射sputtering 两类主要的淀积方式 除了CVD和PVD外，制备薄膜的方法还有: 铜互连是由电镀工艺制作 旋涂Spin-on 镀/电镀electr