半导体照明技术复习.ppt

6.3.3 分布布拉格反射（DBR）结构 AlGaInP采用的GaAs衬底是吸光材料；InGaN采用的Si衬底也是吸光材料，造成光效的损失。 解决衬底吸光问题的一个方法是采用分布布拉格反射（Distributed Bragg Reflector, DBR）结构 6.3.4 透明衬底技术 透明衬底技术可有效的提高光输出，AlGaInP LED在636nm时获得23.7%的外量子效率 电流扩展层 P型层电阻较高，电极的电流注入无法均匀的扩散到整个芯片平面，造成所谓电流拥挤效应。 实用的大功率LED芯片基本都须要采用电流扩展层。AlGaInP采用GaP或AlGaAs电流扩展层, InGaN采用Ni/Au或ITO扩展层。 电流扩展层的使用，可以使LED发光有效增强。 6.3.7 表面纹理结构 由于芯片表面存在全反射界面，LED的卒取效率不到20% 表面纹理技术就是通过破坏表面的全反射界面，来提高卒取效率的一种方法 包括表面粗化和表面光子晶体两种方式。 Appl.Phys.Lett. 86 ,052108(2005) Proc. SPIE 5941, 2005，59410M 6.4.5 寿命 对于单色光LED或白光LED（不考虑色温时）可根据不同应用要求，取光通量衰减到初始值的50％或70％作为失效判据。 Pt = P0 exp(-βt) P0为初始光通量(或光功率)