半导体物理6.pptVIP

半导体物理Semiconductor Physics 第六章 p-n结 第六章 p-n结 引言 若在同一半导体内部，一边是p型，一边是n型，则由于在p型区和n型区交界面附近形成所谓的pn结。它是许多重要半导体器件的核心。 pn结的行为不是简单等价于一块p型半导体和n型半导体串联。这种结构具有特殊的性质：单向导电性。 其单向导电性和在其界面附近形成的势垒密切联系。因此这一节的讨论从pn结的势垒开始，然后介绍电流电压特性、电容效应以及击穿特性等。 引言 6.1 p-n结及其能带图 6.2 p-n结电流电压特性 6.3 p-n结电容 6.4 p-n结击穿 6.5 p-n结隧道效应 6.1 p-n结及其能带图 6.1.1 p-n结的形成及杂质分布 6.1.1 p-n结的形成及杂质分布 合金法 扩散法 6.1.1 p-n结的形成及杂质分布 还有离子注入法等。 一般认为合金结和高表面浓度的浅扩散结是突变结（两边杂质均匀分布），而低表面浓度的深扩散结是线性缓变结（从p区到n区，杂质浓度逐渐变化）。 在施主区和受主区的分界线处xj，称为结深。 6.1.2 空间电荷区 6.1.3 平衡p-n结能带图 考虑费米能级 6.1.3 平衡p-n结能带图 6.1.3 平衡p-n结能带图 6.1.4 p-n结接触