半导体物理学刘恩科第七版第2章杂质和缺陷.pptVIP

第2章 半导体中杂质和缺陷 2.1 硅锗晶体中的杂质能级 原子并非在格点上静止不动，而是在平衡位置附件振动； 材料不是绝对纯净，含若干杂质 (外来的)； 半导体晶格不是绝对完美，存在缺陷 (内在的) 替位式杂质 杂质原子的大小与晶体原子相似，价电子的壳层结构比较相近。 III、V族元素在硅、锗中均为替位式杂质。 施主电离 V族元素在硅、锗中电离时能产生导电电子并形成正电中心的杂质称为施主杂质。 施主杂质未电离时是中性的，称为束缚态或中性态，电离后称为离化态。 杂质电离能：多余的价电子挣脱束缚称为导电电子所需要的能量。 1、没反映出杂质原子的影响。 2、本身是一个近似模型。 例3 半导体硅单晶的介电常数为11.8，电子和空穴的有效质量备为mn*=0.26m0,mp*=0.30m0，利用类氢模型估计：(1). 施主和受主的电离能；(2). 基态电子轨道半径；(3). 相邻杂质原子的电子轨道将发生明显交迭时(假设基态半径发生交叠)，试估算此时施主、受主浓度的数量级(此时可认为将形成杂质能带)? 当ND(施主杂质浓度)NA (受主杂质浓度) n(导带中电子浓度)= ND-NA ≈ ND，半导体是n型的 当NDNA时 p (价带中空穴浓度)= NA-ND ≈ NA，半导体是p型的 金是I族元素 (目前无完善的理论能够说明，只能定性) 故可失去一个电子，施主能级略高于价带顶；