半导体物理与材料.ppt

－ － － － + + + + R E PN 结正向偏置 内建电场 外电场 变薄 P N + _ 内建电场被削弱，多子的浓度很高，其扩散加强，能够形成很大的扩散电流。 多子 多子 PN 结反向偏置 + + + + 内建电场 外电场 变厚 N P + _ 内建电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子浓度很低，只能形成很小的反向电流。 R E 少子 少子 - - - - + + + + - - - - 1.5 小结 历史 材料 基本概念（名词、术语） PN结 二极管的制作、工作原理、应用 * 我们关心的不是一个原子，而是形成固体半导体的原子群。 在晶体固体中，能量轨道的氢原子模型被修改为：取代一系列分立 的（discrete）能级（energy level）的是一系列能带（energy bands），能带之间是能隙Eg（energy gap）(禁带宽度)。Ec称为导 带,Ev称为价带。 E(K)Energy K 允带 禁带 Eg 电子能量 Ec Ev 简化为 Einstein光电效应实验。我们简单回顾一下。这个实验引入了重要的一个关系。图1-5c 中的直线的斜率是h/q。因此h可以通过这个实验测得。Y轴的截止电压由金属的功函数（work function）W决定。光子（photon）的能量为E=hν，只有当入射光的能量大于W时，才使电子从金