半导体物理学纲要2014剖析.ppt

半导体物理学纲要2014剖析

西安理工大学电子工程系 马剑平 * 势垒边界处非平衡少数载流子的浓度分布 n区势垒边界x= xn 非平衡少子Δpn (xn ) p区势垒边界x=xp 非平衡少子Δnp(xp) 西安理工大学电子工程系 马剑平 41 西安理工大学电子工程系 马剑平 41 为什么认为通过理想p-n结的电流(正向电流和反向电流)都是少数载流子在扩散区的扩散电流? 载流子通过势垒区的方式主要有三种:若势垒厚度非常薄(与载流子de Blolig波长相当),则为量子隧道效应方式;若势垒厚度较薄(大于de Blolig波长,但小于载流子的平均自由程),则为热发射方式;若势垒厚度较厚(大于载流子平均自由程),则为依靠浓度梯度的扩散方式。 因为势垒区近似为耗尽层,属于高阻区,则外加电压将完全降落在势垒区,扩散区中没有电压和电场。外加电压可以改变势垒区的特性:正向电压使电场减弱、势垒厚度减薄和势垒高度降低;反向电压使电场增强、势垒厚度增厚和势垒高度升高。 ② 因为扩散区中没有电场,则载流子在扩散区中的电流就是由浓度梯度所产生的扩散电流,而不存在漂移电流。 ③ 根据电流的连续性,若载流子由漂移和扩散相继产生电流时,则总电流的大小将主要受到最慢、最小过程的限制。例如,当一种载流子相继进行扩散和漂移(不是既有扩散、又有漂移)时,则电流大小将主要由较慢的扩散过程来决定,而与迅速的漂移过程基本上无关。 ④ 少数载流子

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