半导体物理与器件总结的ppt剖析.pptVIP

* * 表面效应 我们前面所讨论的半导体是无限长的理想的半导体，但是实际中的半导体的长度是有限制的，因此造成表面处的缺陷的密度大于内部缺陷的密度，进而造成表面处的过剩少子寿命要比相应材料内部的寿命短。无限的表面复合速度，会导致表面的过剩载流子浓度和寿命为零。半导体的表面载流子浓度小于内部的载流子浓度。 海恩斯-肖克莱实验是用于测少子的迁移率，扩散系数和寿命 * * 冶金结——p区和n区的交界面 突变结　线性缓变结　超突变结 突变结——均匀分布，交界处突变 7.1 pn结的基本结构 * * 空间电荷区，也被称为耗尽区（SCR）即没有可自由移动的净电荷，高阻区。它的宽度主要在掺杂浓度少的一侧的半导体 pn结的形成 7.1 pn结的基本结构 * * 内建电势差 本章开始Nd,Na分别指n区和p区内的净施主和受主杂质！！！ 7.2 零偏 7.2.1内建电势差 热电压 由此图可知：内建电势差主要是在重掺杂的一侧的半导体 * * 反偏 与内建电场方向相同 EF不再统一 7.3 反偏 7.3.1空间电荷区宽度与电场 * * 7.3 反偏 7.3.3单边突变结 由图可知：空间电荷区主要由轻掺杂的半导体决定 加反偏电压使空间电荷区增大，反偏电压越大，空间电荷区宽度越宽；加正偏电压使空间电荷区宽度变窄，电压越大，空间电荷区宽度越窄。 * * 反偏能带图