第三章场效应管放大电路研究.ppt

IDQ 一、分压式偏置 3.4.2 场效应管的直流偏置电路 该电路产生的栅源电压可正可负，所以适用于所有的场效应管电路。但是对结型管必须保证gs间反偏。 管子状态的分析过程与三极管类似，即先假定管子处于饱和（恒流）状态并展开分析看结果是否一致。 对不同类型的管子，处于饱和状态时 N沟道增强型 N沟道耗尽型 N沟道结型 P沟道型管 电源电压应为负值。 VGS可为正、负或0，但必须 一、分压式偏置 3.4.2 场效应管的直流偏置电路 二、自偏压电路 VGSQ =- IDQR 已知 VGS(off) 及IDSS,由 注意：1、该电路只适用于VGS=0时就有沟道的管子； 2、该电路只能产生负的栅源电压，所以只能用于需要负栅源电压的耗尽型管。 vGS 可解出Q点的VGSQ 、 IDQ 、 VDSQ 3.4.2 场效应管的直流偏置电路 偏置电阻对交流信号有损耗作用，也降低了放大电路的输入电阻。 3.4.2 场效应管的直流偏置电路 在集成电路中，本级放大电路的输入端直流偏置通常由前级电路的输出提供。 必要时加入直流电平移动单元，称这种偏置方式为直接偏置 三、直接偏置电路 3.4.2 场效应管的直流偏置电路 3.4.3 场效应管基本放大电路 第四节 场效应管放大电路 一、基本共源放大电路 s 2、输入电阻 3、输出电阻 忽略 rds, rgs则 由于rgs=∞，则 1、电压放大倍数 3.4.3 场效应管基本放大电路 一、基本共源放大电路 接有负载时应为R′L=RL//Rd 3.4.3 场效应管基本放大电路 一、基本共源放大电路 与共射电路的比较 二、共栅放大电路 ＋ － 3.4.3 场效应管基本放大电路 三、共漏放大电路 3.4.3 场效应管基本放大电路 1、中频小信号模型 三、共漏放大电路 3.4.3 场效应管基本放大电路 2、电压增益 3、输入电阻 可知 三、共漏放大电路 3.4.3 场效应管基本放大电路 所以 由图有 4、输出电阻 3.4.3 场效应管基本放大电路 三、共漏放大电路 3.4.3 场效应管基本放大电路 三、共漏放大电路 T2管的 ，保证其工作在饱和区 3.4.4 场效应管电流源电路 一、基本电流源 第四节 场效应管放大电路 设 忽略沟道长度调制效应后( ) 则有 若两管参数对称则为镜像电流源，否则为比例电流源. 3.4.4 场效应管电流源电路 一、基本电流源 为了提高集成度，通常用有源电阻代替一般电阻 一、基本电流源 3.4.4 场效应管电流源电路 T3、T4特性相同 输出电流几乎不受电流源输出端电压的影响，从而使输出电阻大为提高，保证了良好的恒流特性 二、串联电流源 3.4.4 场效应管电流源电路 三管均工作在饱和区 具有很高的输出电阻 由于串联电流源和威尔逊电流源在输出回路中串联有两个MOS管且要求两管均工作于饱和区，从而在电源电压一定的情况下，减小了输出端电压的变化范围。 三、威尔逊电流源 3.4.4 场效应管电流源电路 在工作点处DS之间的直流电阻为 3.4.5 场效应管有源负载放大电路 一、MOS管有源电阻 第四节 场效应管放大电路 小信号动态电阻可通过在Q点处切线的斜率求得。 一、MOS管有源电阻 3.4.5 场效应管有源负载放大电路 一、MOS管有源电阻 3.4.5 场效应管有源负载放大电路 也会产生预夹断和漏极电流饱和的情况。 且存在沟道。 3.1.2 耗尽型MOS场效应管 一、基本工作原理 可变电阻区 饱和区 击穿区 截止区： 可变电阻区： 饱和(恒流)区： 击穿区 截止区（夹断区） 二、特性曲线 3.1.2 耗尽型MOS场效应管 1.输出特性曲线 iD v DS 0 vGS=0 vGS0 vGS0 3.1.2 耗尽型MOS场效应管 二、特性曲线 1.输出特性曲线 若考虑沟道长度调制效应,在恒流区 3.1.2 耗尽型MOS场效应管 二、特性曲线 1.输出特性曲线 P沟道型管的特性可与之类比 3.1.2 耗尽型MOS场效应管 二、特性曲线 2.转移特性曲线 结型场效应管的结构 根据沟道类型不同亦可分类 第二节 结型场效应管 结型场效应管存在着内建初始导电沟道，这一点与耗尽型管类似。 结型场效应管应用时vGS必须加反偏电压，以通过耗尽层的宽度来调节沟道。 第二节 结型场效应管 3.2.1 结型场效应管的工作原理 一、栅源电压vGS对管子工作的影响 设 vGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 3.2.1 结型场效应管的工作原理 一、栅源电压vGS对管子工作的影响 时 设 当│vGS│↑时