半导体材料与器件工作原理.pptVIP

半导体材料与器件;教材与参考书;半导体材料的基本特性与分类;分类：元素半导体与化合物半导体 ;能带理论;7大晶系、14种布拉菲格子;简单立方格子的重要晶面;;Si的sp3杂化;Si与GaAs的能带结构;E(k)图中对称点的含义;E(k)图的理论计算与实验确定：薛定谔方程 ;一维周期势近自由电子近似的能带结构;能带结构的经典物理图像;硅原子形成硅晶体的电子能级分裂示意图;-π/a;原子在相互靠近时，原子的波函数交叠导致能级分裂。分裂的能级数目和原胞数目、原胞内的原子数、以及原始能级的简并度有关。具体为N（原胞数）×原胞内原子数×能级简并度。 近似计算的结果表明：晶体中电子的波函数为一个类似于自由电子的平面波被一个和晶格势场同周期的函数所调幅的布洛赫波函数。 由于周期性的边界条件。布洛赫波函数的波矢k只能取分立的值。k是描述半导体晶体电子共有化的波矢。它的物理意义是表示电子波函数位相的不同。 每一个k对应着一个本征值（能量E）。而在特定的k值附近由于周期性晶格势场的简并微扰，使能带发生分裂，形成一系列的允带和禁带。 由于En(k)具有周期性，因而可在同一个周期内表示出E~k曲线。这就是以能带分裂时的k值为边界的布里渊区。每个布里渊区内有N个k值，对应于一个准连续的能带。将所有的E~k通过平移操作置于最简单的布里渊区内，该布里渊区称为简约布里渊区，相应的波矢k称作简约波矢。 ;用能带理论