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宽带半导体材料电子机构及性质 　　摘 要以密度泛函理论为基础，选择宽带半导体材料CdAl2S4为研究对象，从晶格结构、能带结构方面，对其电子机构进行了研究，从弹性性质与光学性质两方面对其性质进行了分析 【关键词】宽带半导体材料 电子机构 性质 Ⅱ-Ⅲ2-Ⅳ4型三元化合物，为具有缺陷黄铜矿结构的宽带半导体材料，材料电子机构优化性强，弹性以及光学性质好，用于光学设备乃至电光器件等的制造中，在提高设备性能方面，价值显著。本文以密度泛函理论为基础，对缺陷黄铜矿结构半导体CdAl2S4的电子机构、弹性及光学性质进行了分析： 1 宽带半导体材料模拟计算方法 以密度泛函理论为基础进行模拟计算。将CdAl2S4拆分开来，分为Cd、Al以及S三个部分，三者的价电子组态存在一定差异，Cd电子组态为4d105s2、Al电子组态为3s23p2、S电子组态为3s23p4。电子与电子之间存在的交换关联势，以PBE泛函作为基础进行描述。参数设计情况如表1 从表1中可以看出，半导体材料参数如下： （1）动能截断值：500eV （2）布里渊区k点网格8×8×4 （3）原子作用收敛标准：10-3eV/A （4）自洽精度：10-6eV/atom 2 宽带半导体材料的电子机构与性质 2.1 宽带半导体材料的电子机构 从晶格结构、能带结构方面，对宽带半??体材料C