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当前硅基LED量子阱相关特性及芯片p面技术探究综述 　　【摘要】LED技术是当前发展和应用广泛的电子科技领域，在民用消费领域发展迅速，应用广泛，本文采用文献综述法，对硅基LED量子阱相关特性及芯片p面技术研究技术了进行了研究，目前为止，用于半导体照明的LED芯片按外延衬底划分有三条技术路线，即蓝宝石衬底LED技术路线，碳化硅衬底LED技术路线和硅衬底LED技术路线。目前，市场主流为蓝宝石基板，碳化硅基板虽然有其技术优势但由于价格昂贵成本上基本无竞争力，硅基板目前已成为全球LED供应商积极投入研发的基板材料之一 【关键词】硅基LED；芯片p面；文献综述；芯片技?g 硅衬底GaN基LED的研制成功，改写了以蓝宝石、碳化硅为衬底的GaN基LED的历史，相比前两种基板，硅基板具有其他衬底无法比拟的两大优势：第一，硅材料比碳化硅和蓝宝石要便宜很多，而且容易得到大尺寸的衬底，这将显著降低外延材料的生长成本；第二，硅衬底半导体照明外延材料，非常适合走剥离衬底薄膜转移技术路线，为开发高效率高可靠性半导体照明芯片具有得天独厚的优势。是一条更具发展潜力的LED产业化技术路线，吸引了全球数十家研究单位和公司投入相关研究 一、硅衬底GaN基LED发展趋势 在硅衬底上生长GaN材料与在蓝宝石、碳化硅衬底上生长相比，应力状态迥然不同，应力影响材料的极化，特别影响了作为有源层量子阱的生长特性