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電子濃度依存性＠ 5K　（1Ｄと2Ｄ） 温度依存性（高電子濃度） （1Ｄと2Ｄ） 電子‐正孔系の量子相の解明 量子細線中の多電子-多正孔共存系では一体何が起きているのか？ 大阪大学大学院理学研究科 小川グループ 小川哲生???非平衡相転移理論 浅野建一（助教授）???ボゾン化法?数値対角化法 冨尾祐（JST研究員）???動的平均場理論 高際睦起（助手）???ドープ系の結合クラスター理論 石川陽（DC）???電子-正孔液滴形成の量子論 稲垣剛（奈良先端大助手） 飯田勝（通総研研究員） 理論的研究のポイント ● 次元性と電子相関 ● 非ドープ系（絶縁体）とドープ系（金属） ● 励起子Mott転移の存在／非存在，臨界現象 ● 電子-正孔対凝縮（BECとBCS）の存在／非存在 ● 時空間量子ダイナミクス，非平衡性 ● 動的応答，（非）線形光学応答，非局所応答 ● レーザー輻射場制御と電子相関 Evolution of continuum D. W. Wang et al. (PRB’01) R. Ambigaphthy, et. al. PRL 1997 PL spectra in a V-groove quantum wires V-wires PL spectra T=10K L. Sirigu et al. (PRB’00) T. Gullet et. al. PRB 2003 PL spectra in a V-groove quantum wires T. Guillet et al. (PRB’03) Mott transition form an exciton gas to a dense plasma in very-high-quality V-wire Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42 (2003) L748-L750 Room Temperature-Continuous Wave Operation of GaInAsP/InP Multiple-Quantum-Wire Lasers by Dry Etching and Regrowth Method H. Yagi, T. Sano, K. Ohira, T. Maruyama, A. Haque and S. Arai Tokyo Institute of Technology, CREST, JST 20周期量子細線レーザーの温度特性 T型量子細線レーザーの動作は低温に限られる。 単一量子細線レーザー 20周期量子細線レーザー 60Kまで。 150Kまで。 最高記録は、 単一量子細線レーザーの発振スペクトル 温度の増加とともに、高エネルギー側のArm wellの発振が顕著になる。 Arm well Arm well * 量子細線における光学利得と多体効果 ノンドープの光励起量子細線レーザーに対し、PL励起強度依存性測定、導波路誘導放出光測定、キャシディーの方法による解析を行い、各キャリア濃度に対する光学利得スペクトルを求め、利得機構と電子間相互作用の効果を調べた。 ゲート電極を設けたn型ドープ単一量子細線FET型デバイスに対して、PLおよびPLE測定を行い、キャリア濃度の変化に応じた吸収と発光における一次元状態密度と電子間相互作用の効果を調べた。 電流注入型発光デバイスを試作し、I-V特性、EL、PLなどの計測評価を行った。 東大物性研　吉田正裕、秋山英文 状態密度の先鋭化により量子細線レーザーの性能向上予測。 （1980頃、荒川?榊、浅田?宮本?末松） T型量子細線レーザーの基底状態での発振。「レーザー発振の起源はクーロン相互作用で形成された励起子によるものだ」との主張。（1993、Wegscheiderら） 量子細線では励起子効果が強くバンドギャップ収縮はない。 （1997、Ambigapathy ら） V型量子細線レーザーの発振起源は局在励起子との主張。 （2000、Siriguら） T型量子細線レーザー発振と同時に プラズマの発光を観測。 （2001、Rubioら) 高品質T型量子細線レーザーの発振 起源は、励起子ではなくプラズマ。但し クーロン相互作用の影響が強い。 (2003、秋山ら） 量子細線レーザーの発振機構研究に関する研究背景 cf Rubio et al. SSC 2001 cf Wegscheider et al. PRL 1993 高品質単一量子細線レーザーの レーザー発振光と自然放出光の比較 Free Exciton Biexciton+Exci