搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管直流电应力下的退化行为与退化机制研究.pdfVIP

第 卷 第 期 液晶与显示 ３０ 　 ２ 　　 Vol．３０　No．２ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１５ ４ 　 　 　 A r．２０１５ p 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１５０２Ｇ０１８７Ｇ０７ 搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管直流电应力下的 退化行为与退化机制研究 ∗ , , , , , 张 猛 夏之荷 周 玮 陈荣盛 王 文 郭海成 　 　 　 ( , ) 香港科技大学 先进显示与光电子技术国家重点实验室 香港 : ( ) ( ) . 摘要 研究了搭桥晶粒 BG 多晶硅薄膜晶体管 TFT 在直流电应力下的退化行为和退化机制 与普通多晶硅 TFT相 , . 比 BG多晶硅 TFT展现出更好的直流应力可靠性 主要体现在 BG多晶硅 TFT拥有更好的直流负偏压温度不稳定性 ( ) , ( ) , ( ) . 可靠性 更好的直流自加热 可靠性 更好的直流热载流子 可靠性 有源沟道区的 结构是上述直流 NBTI SH HC BG . ; 应力可靠性提高的主要原因 更好的NBTI的可靠性主要源于沟道内的硼氢键的形成 更好的 SH可靠性主要源于在 ; ( ) . , 沟道长度方向上更快的焦耳热扩散率 更好的 HC可靠性主要源于漏端横向电场 Ex 的减弱 所有的测试结果都表明 这种高性能高可靠性的BG多晶硅 TFT在片上系统中具有很大的应用前景. : ; ; ; ; ; 关 键 词 搭桥晶粒 多晶硅 薄膜晶体管 负偏压温度不稳定性 自加热 热载流子 　 　 中图分类号: 文献标识码: : / TN１４１　　 A　　doi１０．３７８８YJYX０１８７ Deradationbehaviorsandderadationmechanisms g g ofbridedＧrain olcrstallinesiliconthinfilm g p y y transisto