复旦集成电路工艺课件-01剖析.ppt

*/43 双扩散台面（MESA）晶体管 气相扩散 图形化-腐蚀 */43 平面工艺发明人：Jean Hoerni －－ Fairchild 1958-1960: 氧化 p－n结隔离 Al的蒸发 …… */43 扩散 光刻 氧化 掩蔽 */43 平面工艺基本光刻步骤 光刻胶 掩膜版 */43 应用平面工艺可以实现多个器件的集成 */43 Actual cross-section of a modern microprocessor chip from IBM W Cu */43 IC技术发展历程 1960s BJT 气相掺杂＋外延 p-n结隔离 6－8次光刻 */43 IC技术发展历程 1970s E/D NMOS LOCOS隔离技术 LOCal Oxidation of Silicon 耗尽型NMOS面积减小，集成度提高 光刻版数量与BJT相近 E D */43 IC技术发展历程 1980s CMOS 低功耗、散热 集成度提高 12～14块光刻版 */43 最简单的IC CMOS工艺举例 反相器 或非门 */43 IC技术发展历程 1990s BiCMOS CMOS实现高集成度的内部电路 BJT实现输出驱动电路 光刻版20块 CMOS BJT */43 本节课主要内容 CMOS工艺： 光刻、氧化、扩散、刻蚀等 硅技术的历史沿革和未来发展趋势： 晶体管的诞生 集成电路的发明 平面工艺的发明 CMOS技术的发明 摩尔定律（Moore’s law） VLSI、SoC、SIP Constant-field等比例缩小原则 ITRS：技术代/节点 * * * * INFO130024.02 集成电路工艺原理 第一讲 前言 */43 集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@ 邯郸校区物理楼435室 */43 大纲（1） 教科书： 1. 王蔚，田丽，任明远，“集成电路制造技术－原理与工艺” 2. J.D. Plummer, M.D. Deal, P.B. Griffin, “硅超大规模集成电路工艺技术-理论、实践与模型” 参考书： C.Y. Chang, S.M. Sze, “ULSI Technology” 王阳元 等,“集成电路工艺原理” M. Quirk, J. Serda, “半导体制造技术” 成绩计算： 期终考试100% */43 大纲 （2） 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 */43 大纲 （2） 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 */43 W. Shockley J. Bardeen W. Brattain 1st point contact transistor in 1947 -- by Bell Lab 1956年诺贝尔物理奖 点接触晶体管：基片是N型锗，发射极和集电极是两根金属丝。这两根金属丝尖端很细，靠得很近地压在基片上。金属丝间的距离：~50μm */43 不足之处: 可靠性低、噪声大、放大率低等缺点 */43 1948年 W. Shockley 提出结型晶体管概念 1950年 第一只NPN结型晶体管 */43 Ti 公司的Kilby 12个器件，Ge 晶体 */43 (Fairchild Semi.) Si IC */43 J. Kilby－TI 2000诺贝尔物理奖 R. Noyce－Fairchild 半导体Ge，Au线 半导体Si，Al线 */43 简短回顾：一项基于科学的伟大发明 Bardeen, Brattain, Shockley, First Ge-based bipolar transistor invented 1947, Bell Labs. Nobel prize Kilby (TI) Noyce (Fairchild), Invention of integrated circuits 1959, Nobel prize Atalla, First Si-based MOSFET invented 1960, Bell Labs. Planar technology,