复旦集成电路工艺课件-13剖析.pptVIP

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 加热器 a) 必须在蒸发温度提供所需热量，但本身结构仍保持稳定。熔点高于被蒸发金属熔点 b) 不能与处于熔融状态的蒸发料合金化或化合 c) 蒸气压很低 d) 易加工成形 例：难熔钨丝螺旋式蒸发源 溅射Sputtering - 溅射淀积Sputter deposition 利用高能粒子（通常是由电场加速的正离子如Ar+）撞击固体表面，使表面离子（原子或分子）逸出的现象 2、射频溅射 — 也可溅射介质 如靶是绝缘材料，不能采用直流溅射，因为绝缘靶上会有正电荷积累。此时可以使用交流电源。 3、反应溅射 在溅射气体中引入反应活性气体如氧或氮气，可改变或控制溅射膜的特性。 如在低温下可制作SiOx、SiNx等钝化膜或多属布线中的绝缘层；TiN、TaN等导电膜或扩散阻挡层 4、磁控溅射 直流溅射和RF溅射中，电子和气体分子碰撞的离化效率较低，电子的能量有许多消耗在非离化的碰撞和被阳极收集。通过外加磁场提高电子的离化率, 磁控溅射可以提高溅射效率。 可溅射各种合金和难熔金属，不会像蒸发那样，造成合金组分的偏离 阴极表面发射的二次电子由于受到磁场的束缚,使得高密度等离子体集中在靶附近, 而不再轰击硅片，避免了硅片的升温 均匀性、重复性好，有良好的台阶覆盖 溅射效率提高 集成电路工艺原理 INFO130024.02 第八章 薄膜淀积原理 (下) 大纲 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 本节课主要内容 常用的淀积薄膜有哪些？举例说明其用途。 什么是CVD？描述它的工艺过程。 CVD的控制有哪两种极限状态？分别控制什么参数是关键？ 单晶硅（外延）—器件；多晶硅—栅电极；SiO2—互连介质；Si3N4—钝化。金属… 化学气相淀积：反应剂被激活后在衬底表面发生化学反应成膜。1)主气流中的反应剂越过边界层扩散到硅片表面；2)反应剂被吸附在硅片表面；3)反应成核生长；4)副产物挥发。 表面反应控制：温度 质量输运控制：反应器形状，硅片放置 氮化硅的淀积方法 LPCVD： 质量好，产量高 PECVD：等离子体中 或 SiNxHy膜对水和钠有极强的阻挡能力，可作为最终的钝化层或多层布线中的介质。 等离子增强化学气相淀积（PECVD） 低温下（200～350 ?C）利用非热能来增强工艺过程 反应气体被加速电子撞击而离化。形成不同的活性基团，它们间的化学反应就生成所需要的固态膜。 13.56MHz 等离子体： 物质存在的第四态 高密度导电粒子构成的气体 极板区域有辉光 上标“ * ” 表示那些能量要远远大于基态的粒子。分离的原子或分子被称为自由基，它们具有不完整的结合状态并且非常活跃。如：SiH3，SiO，F等。 原子激发 e* + A ? A*+e 分子激发 e* + AB ? AB*+e e* + AB ? A*+B*+e 原子离子化 e* + A ? A++e+e 分子离子化 e* + AB ? AB + +e+e 激发 裂解 离化 等离子体由电子、离化分子、中性分子、中性或离化的分子片断、激发的分子和自由基组成。假设流进的气体是由原子A和原子B组成的分子AB, 在辉光放电中可出现的过程可有: PECVD：在等离子体反应器中，PECVD最重要的特征是能在更低的温度下淀积出所需要的薄膜。 PECVD淀积的氧化硅和氮化硅膜与较高高温下LPCVD的膜相比有以下特征： 应力较大、含H、非化学比的结构 因而造成膜的性质的不同： 粘附能力较差，有针孔、表面粗糙度增大，介电常数下降，折射率下降，腐蚀速率增加。 PECVD薄膜淀积质量强烈依赖于RF功率、压强、温度等参数 物理气相淀积 （PVD） 蒸发（Evaporation） 溅射（Sputtering） 淀积金属、介质等多种薄膜 淀积金属薄膜 真空蒸发：在真空中，把蒸发料(金属)加热，使其原子或分子获得足够的能量，克服表面的束缚而蒸发到真空中成为蒸气，蒸气分子或原子飞行途中遇到基片，