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定义晶体缺陷

一、金刚石结构 §2.3 晶体结构缺陷 回顾:完整晶体 2、分类 3、研究缺陷的意义 实际晶体存在缺陷(不利,有利); 功能材料需要人为制造缺陷; 材料制备过程 → 质点扩散 → 缺陷 点缺陷(point defect) 一、点缺陷类型(type of point defect) 1. 几何位置(geometric position) 定义:正常结点上的原子(离子)跳入间隙,形成 间隙原子。 定义:正常结点上的原子离开平衡位置迁移到晶 体表面,在原来位置形成空位。 组成:主体—缺陷种类 下标—缺陷位置 上标—有效电荷(正,负,零) 1)离子空位:正常结点位没有质点,VMg’ 和 VO‥ 4、缺陷反应方程式 四个基本原则: 缺陷反应举例 1. 热缺陷 5、热缺陷浓度计算 2)MX型离子晶体的肖特基缺陷浓度 固溶体 非化学计量化合物 1)阴离子缺位型(阳离子过剩) TiO2、ZrO2会产生这种缺陷,分子式可写为TiO2-x, ZrO2-x,产生原因是环境中缺氧,晶格中的氧逸出到大气中,使晶体中出现了氧空位。 TiO2-x结构缺陷示意图 2)阳离子间隙型 Zn1+xO和Cdl+xO属于这种类型。过剩的金属离子进入间隙位置,带正电,为了保持电中性,等价的电子被束缚在间隙位置金属离子的周围,这也是一种色心。例如ZnO在锌蒸汽中加热,颜色会逐渐加深,就是形成这种缺陷的缘故。 3)阴离子间隙型 目前只发现UO2+x,可以看作U2O5在UO2中的固溶体,具有这样的缺陷。当在晶格中存在间隙负离子时,为了保持电中性,结构中引入电子空穴。这种材料为P型半导体。 Cu2O、FeO属于这种类型的缺陷。当在晶格中存在阳离子空位时,为了保持电中性,在正离子空位周围捕获电子空穴。 小结: 以非化学计量的观点来看问题,世界上所有的化合物,都是非化学计量的,只是非化学计量的程度不同而已。 固溶体的研究方法 1、最本质方法:X-ray衍射分析方法。 线缺陷(位错) 3、位错类型 1)刃位错:柏格斯矢量与位错线垂直的位错。 缺陷反应: 根据质量作用定律: ∴ 4)阳离子空位型(负离子过剩) 以Fe1-xO为例:可看作Fe2O3在FeO中的固溶体。 等价于: 由此可见,铁离子空位本身带负电,为了保持电中 性,两个电子空穴被吸引到这空位的周围,形成一种V- 色心。 缺陷反应: 2、维加(Vegard)定律: 二元等价置换固溶体 的晶胞参数a与外加溶 质的浓度c成线性关系: 3、理论密度计算 计算方法与步骤 1)先写出可能的缺陷反应方程式 2)根据缺陷反应方程式写出固溶体可能的化学式 3)由化学式可知晶胞中有几种原子质点,计算出晶胞中 第i种质点的质量: 据此,计算出晶胞质量W ,这里n为晶胞中原子质点的种类 4)求出晶胞体积V:根据晶胞参数计算各晶系的晶胞体 积V 5)求出理论密度D理: D理计算举例 计算物质的量组成为0.15CaO-0.85ZrO2固溶体的理论密度D理 1)先写出可能的缺陷反应方程式 氧离子空位型: 阳离子间隙型: 氧离子空位型固溶体: 2)根据缺陷反应方程式写出固溶体可能的化学式 阳离子间隙型固溶体: Zrl-xCaxO2-x Zrl-xCa2xO2 分析:ZrO2属立方晶系,萤石结构,每个晶胞中有4个阳离子和 8个阴离子。 3)计算晶胞质量W 对于氧离子空位固溶体Ca0.15Zr0.85O1.85 1、定义:凡在固态条件下,一种组分(溶剂)内 “溶解”了其它组分(溶质)而形成的单一、 均匀的晶态固体称为固溶体。 2、固溶体特征 1)在原子尺度上相互混合。 2)这种混合并不破坏原有晶体结构。 3)存在固溶度,部分体系可任意互溶。 4)在固溶度范围之内,杂质含量可以改变。 3、固溶体生成 1)晶体生长过程中 2)溶液或熔体析晶 3)烧结 4、固溶体、机械混合物与化合物 固溶体AxB1-x:A和B以原子尺度混合,形成单相均匀 晶态物质, A和B可按任意比例混合。 机械混合物AB:A和B以颗粒态混合,A和B分别保持 各自原有的结构和性能。 化合物AmBn:其结构不同于A或B,A和B有固定比例,

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