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微掩膜效应:预处理
已刻蚀的通孔:停止于Au SiC刻蚀:750W/100W/12mTorr GaN刻蚀:350W/25W/3mTorr Cl2/BCl3 GaN刻蚀速率:190nm/min 对Ni或Au选择比:5:1 停止点由无GaN残留时从光学上确定 刻蚀进阶 Ni刻蚀停止层的去除 湿法腐蚀:H2SO4 /H2O2 /H2O (3:1:4) 成品率数据 采用优化条件,通过16轮实验测定成品率 750W/100W, 5 min Ar 预处理 750W/100W SF6 /O2 /Ar 50:10:50 sccm 刻蚀 成品率 约100% 最初5片完整2英寸光学估测成品率90% 结 论 刻蚀速率提高到500nm/min, 同时沟道效应可以控制 通过Ar的预处理及刻蚀中引入Ar,可以控制微掩膜效应 研磨倾斜及非均一刻蚀已通过Ni刻蚀停止层解决 在可接受的刻蚀速率下得到95%的薄SiC晶片刻蚀成品率 激光钻孔 导通孔制备的一种方法 极高的刻蚀速率:10s左右 选择合适的激光,装置,优化功率,可产生较小的碎片, 并无干法刻蚀中的掩膜沟道或微掩膜效应 激光提供可观的材料适用弹性,并不需要附加的过程 背面过程中的激光通孔 激光钻孔的机制 UV激光钻孔装置 大面积加工 UV激光钻孔的光束轮廓 未整形的准分子激光光束是高斯及 平台顶分布,不适合均匀的曝光 单一装置的多重钻孔 UV激光钻孔实例 UV激光钻孔实例 UV激光钻孔实例 末端斜坡 UV激光钻孔实例 锁口喷嘴 30um出口 集成了液体储存器及通道的喷嘴 UV激光钻孔实例 圆柱形物件的钻孔 UV激光钻孔实例 直径:75+/-2 um 零倾斜孔 0.5mm衬底 准分子激光成型vs基于光刻的成型技术 (a) 激光烧蚀技术 (b) 基于光刻的技术 UV激光钻孔实例 UV激光钻孔实例 高产率和快划线速率产生的极窄结果 动 因 激光钻孔速度快,但串行,产生小颗粒,且对正面金属无选择性 ICP刻蚀更适合大面积晶片及大导通孔密度的器件 目 标 ICP刻蚀SiC通孔的发展 刻蚀速率应超过250nm/min 刻蚀轮廓应各向同性 高的掩膜选择比 微掩膜效应最小化 Au被刻穿前刻蚀须停止 以前的工作 SiC晶片总厚度: ~275um ICP 刻蚀条件: SF6:50sccm O2:10sccm 压强:7mTorr ICP功率:750-950mW Rf功率:100-250mW 温度:25℃ 速率:~0.65um/min 严重的微掩膜 沟道效应 7mTorr下,沟道效应明显 Au被刻穿的危险增大 起因:高离子流导致孔底部的离子堆积 将压强增至12mTorr可消除沟道效应 ICP功率和离子能量没有作用 速率同时降至250nm/min 提高刻蚀速率 使用SF6/O2 刻蚀速率很慢 12mTorr下,250nm/min 刻蚀深度及暴露面积增大,孔直径减小时,刻蚀速率下降 目标: 确定速度限制阶点 提高刻蚀速率,但不破坏刻蚀轮廓,避免沟道及微掩膜效应 提高刻蚀速率:等离子体化学组分 加入阳性气体提高正离子流量 He,Ar 都可以提高速率 与He相比,Ar原子更重,具有较低的电子碰撞电离阈值能 够到效应仍然存在,但可以忽略 50sccm的流量最优 微掩膜效应 严重问题导致大块导通孔刻蚀失败 形成柱状物 高密度的柱状物导致刻蚀失败 微掩膜效应:起源 不挥发性刻蚀产物的再沉积 坚硬的刻蚀掩膜 托盘 刻蚀腔体:铝夹具 SiC中的缺陷 传递 研磨过程产生的颗粒和缺陷 微掩膜效应:He和Ar 添加He和Ar显著降低微掩膜数量 三幅图取自同一晶片 微掩膜效应:预处理 进一步提高: 柱状物高度一致且数量不随刻蚀深度增加而增加 表明其是由于近表面缺陷或污染引起 刻蚀前引入物理溅射处理 盘状蓝宝石 研磨前SiC晶片安装在盘状蓝宝石上 由于工艺过程的困难,晶片减薄至100um,以期望整个背面工艺过程中晶片保留在盘状蓝宝石上 前面的工作表明,不同的刻蚀托盘中,Al会产生不可接受的微掩膜效应 盘状蓝宝石 SF6/O2导致通孔彻底失败 SF6/O2/Ar得到了意想不到的效果! 盘状蓝宝石 另外,刻蚀速率有很大提高 可能由于热导降低,导致表面在刻蚀时温度较高 各种气分下,速率提高~35% Au穿透 刻蚀过程中可能发生Au穿透,导致刻蚀失败 研磨过程中引入的倾斜可能足够大以致于在其他通孔中SiC清除前,有些位置的GaN和Au已经刻穿 Au穿透:Ni刻蚀停止层 低RF功率提高选择比,但 降低SIC刻蚀速率 等离子体不稳定 引入Ni刻蚀停止层 与当前工艺兼容 选择比:~50:1 150nm可以允许9umSiC 10%的过刻蚀 已刻蚀的通孔:停止于GaN 5min Ar预处理 SF6/O2/Ar:
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