存储器和可编程逻辑器件1.ppt

图22.2.3 用四片2114RAM字数扩展 ... RAM 21114(1) I/O (2) I/O (3) I/O (4) I/O A11A10 A11 A10 2/4 线 译 码 器 R/W A0 A9 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0 A11A10 A11A10 A11A10 A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS 0 0 选中 0 可编程逻辑器件（PLD）它是由用户自行定义功能（编程）的一类逻辑器件的总称。 图22.3.1 PLD的结构框图 输入电路 与阵列 或阵列 输出电路 ... ... 22.3 可编程逻辑器件 PLD中常用逻辑符号的含义 在图(a)中, 多个输入端“与”门只用一根输入线表示，称乘积线。输入变量A、B、C的输入线和乘积线的交点有三种情况：(1)黑点“?”表示该点为固定连接点，用户不能改变。(2)叉点“?”表示该点为用户定义编程点，出厂时此点是接通的, 用户可根据需要断开或保持接通。(3)既无黑点“?”也无叉点“?”时，表示该点是断开的或编程时擦除的，其对应的变量B不是“与”门的输入量。 A B C Y Y=AC (a) A C B ≥1 Y (b) Y=A+C 1 Y (c) Y1=A Y2=A A Y1 Y2 图22.3.2 PLD阵列中的逻辑符号 下一页 返回 上一页 退出 章目录 第22章 存储器和可编程逻辑器件 22.1 只读存储器 22.2 随机存取存储器 22.3 可编程逻辑器件 本章要求 1.了解ROM, RAM, PROM, EPROM和ROM 的结构和工作原理及功能的区别； 第22章 存储器和可编程逻辑器件 2.了解常用可编程逻辑器件在实际中的应用； 3. 会用可编程逻辑器件构成简单的逻辑函数 半导体存储器分类： 按功能 只读存储器（ROM） 随机存取存储器（RAM） 按元件 双极型存储器:速度快，功耗大。 MOS型存储器：速度较慢，功耗小， 集成度高。 22.1 只读存储器 22.1.1 ROM的结构框图 只读存储器（ROM） ，它存储的信息是固定不变的。工作时，只能读出信息，不能随时写入信息。 图22.1.1 ROM的结构框图 存储输出 读出电路 存储矩阵 地 址 译 码 器 N×M 位线 （数据线） 字线（选择线） 地址输入 AN-1 A1 A0 ... ... W0 W1 WnN-1 DM-1 D0 D1 ... ... 表示存 储容量 1.存储矩阵：由存储单元构成，一个存储单元存储一位二进制数码“1”或“0”。存储器是以字为单位进行存储的。图22.1.1中有N×M个存储单元。 2.地址译码器：为了存取的方便，给每组存储单元以确定的标号，这个标号称为地址。图22.1.1中，W0~WN-1称为字单元的地址选择线，简称字线；地址译码器根据输入的代码从W0~WN-1条字线中选择一条字线，确定与地址代码相对应的一组存储单元位置。被选中的一组存储单元中的各位数码经位线D0~DM-1传送到数据输出端。 ROM主要结构 存储矩阵 地址译码器 22.1.2 ROM的工作原理 图22.1.2二极管 ROM电路 1 1 A0 A1 字线 位线 读出电路 地址译码器 存储矩阵 存储输出 地址输入 W0 W1 W2 W3 D0 D1 D2 D3 A1 A0 +U A0 A1 存“1” 存“0” (1) 存储矩阵 22.1.2 ROM的工作原理 1. 二极管构成的ROM的工作原理 图中的存储矩阵有四条字线和四条位线。共有十六个交叉点，每个交叉点都可看作一个存储单元。 交叉点处接有二极管时, 相当于存“1”；交叉点处 没有接二极管时，相当于存“0”； 如：字线W0与位线有四个交叉点, 其中与位线D0和D2交叉处接有二极管。当选中W0(为高电平)字线时，两个二极管导通，使位线D0和D2为“1”, 这相当于接有二极管的交叉点存“1”。 22.1.2 ROM的工作原理 交叉点处没有接二极管处，相当于存“0”；位线D1和D3为“0”, 这相当于没接有二极管的交叉点存“0”。 ROM的特点：存储单元存“0”还是存“1”是在设计和制造时已确定，不能改变；而且存入信息后，即使断开电源，所存信息也不会消失，所以ROM也称固定存储器。 (2) 地址译码器 图中是一个二极管译码器，两位地址代码A1A0可指定四个不同的地址。 22.1.2 ROM的工作原理 四个地址的逻辑式分别为： 地址译码器特点： (1) N取一译码：即N条字线中