chapter 2 奈米金氧半电晶体21 简介 - advanced silicon device and .pdfVIP

Chapter 2 奈米金氧半電晶體 2.1簡介 英特爾(Intel)宣布將應變矽技術加入其 90 奈米技術節點(90 nm technology node) 中，並使用該技術發展新的 Pentium IV 微處理器 - 「Prescott 」，並積極研發下一世代65 奈米技術，使得互補式金氧半導體(CMOS ，complementary metal-oxide-semiconductor) 技 術正式宣告進入奈米新紀元。元件尺寸的縮小可以得到更佳的性能，以便開發更大的市 場，才能提供更多的經費研究更小的元件，如此為一食物鏈，如圖 2-1 ，而整個半導體 微電子技術演進從 1959 年的一吋晶圓到 2001 年的 12吋晶圓，元件性能突飛猛進，進 步神速，而電晶體密度增加了百萬倍，而英特爾(Intel)公司前總裁摩爾博士(Dr. Goden Moore)提出著名的摩爾定律 (Moore’s Law) ，晶片內之電晶體密度將會每18個月成長一 倍，也就是說每三年技術節點將會前進一個世代，節點長度會縮小為約 0.7倍，如圖 2-2 ， 為國際半導體技術藍圖(ITRI roadmap)所作的各技術節點的最小元件通道長度與尺寸之 預