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- 2017-07-01 发布于湖北
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数字电路逻辑设计 第3章2 MOS管
MOS型电路是另一种常用电路,MOS意为金属—氧化物半导体(Metal-Oxide Semiconductor) (一)、MOS晶体管 晶体三极管有: E发射极 B基极 C集电极 机理是:基极电流IB 控制集电极电流IC。 结构有: NPN PNP MOS三极管有: S源极 G栅极 D漏极 机理是: 栅极电压VGS控制漏极电流ID 结构有: N沟道 P沟道 MOS管除分N沟道、P沟道外,还分增强型和耗尽型。增强型栅压VGS为0无沟道,耗尽型栅压VGS为0有沟道。 1、MOS管的基本结构 以N沟道增强型为例 源、漏极结构对称,可以互换使用 P衬 P型衬底,N型沟道 2、 N沟道增强型MOS管的工作特点:
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