两种场发射锥尖的制备工艺及电学特性分析.pdfVIP

第27卷 第6期 东 南 大 学 学 报 V01．27 No．6 1997年 n 月 JOURNAL OF SOUTHEAST UNIVERSITY Nov．1997 L ．／ 两种场发射锥尖的制备工艺及电学特性分析 东(南上学般攀电子中 睢 手 一 ， 南京 210018) 摘 要 研究 了倒空字塔填充型锥尖及正向剡蚀硅尖的制喜方法、工艺及封装方法等． 并分别剥试 了这两种场发射锥尖阵列的电子发射特性，分析表 明倒金字塔填充型锥尖 适用于制备高频微波器件 ，正 向刻蚀的硅尖适用于制备高速开头器件． 侬电弓辱 关键词 兰兰苎望兰+些皇；高频+龟 耍差 尖 中图法分类号 TN 4 自1968年C．A．Spindt等提出场致发射阵列的概念以来，真空微 电子学从材料、工艺 ．结 构到应用都有很大的发展_1 ．真空微 电子微波器件是其中的一个重要研究方向．现利用微带 传输理论预测该类器件的频率能达到300GHz以上 ]，但 目前实际只能达到数十GHzs]．主要 原因是器件的栅阴极间电容不能做得太小．器件的跨导g 也有待提高．目前虽已有通过挖空 栅阴极间绝缘介质 、采用空气桥 ]、或按比例缩小器件尺寸 等方法减小电容，但从阴极结 构上考虑的还比较少．本文制备了场致发射阵列，着重研究了不同加工工艺对器件性能的影 响，并用静电键合和硅片键合 (SDB)工艺，尝试用这些方法来减小器件结构电容或缩小器件尺 寸，以提高器件的高频特性 ，为今后研制高频器件积累一些经验． 1 场致发射锥尖的制备工艺 我们选择了两种不同的锥尖制作方法，其一是倒金字塔填充型锥尖的制备；其二是正向刻 蚀硅微锥尖制各工艺．两种方法都是以硅片为基片．利用半导体选择腐蚀技术来实现的． (1)倒金字塔填充型锥尖的制备 该工艺除了各向异性腐蚀与静 电键合技术之外，其他 都是标准的集成 电路制造工艺．本实验中选用电阻率为8～100 ·cm 的N型 (1oo)硅片作模 片，具体工艺如下(流程见图1)： 1)硅片清洗后t进行高温氧化，氧化温度为 l100℃、厚度为3000^左右； 2)光刻腐蚀窗I=1，窗ZIl尺寸为4vm×4 m，单元间距为 6,um； 3)采用EI】w腐蚀掖进行各向异}生·腐蚀，腐蚀温度 95℃．腐蚀时间约 30min(图1(a))； 4)用稀HF溶液漂去硅片上残留的SiO 膜，进行第二次氧化，氧化厚度为 1500Ai 国家 自然科学基金资助项Ig和国防科技预研基金资助项 目 收穑 日期：1997一O1—21．修改稿收到 日期：1997—05—03． l1O 东 南 大 学 学 报 第27卷 5)溅射一层约 5000A厚的钨膜，用等离子刻蚀技术将表面的钨膜刻成网状结构，并保 持每个钨尖之间的连通，然后淀积多晶硅填平表面区域(图1(b))； 6)将上述硅片和表面清洗光洁的平扳玻璃 (#7740)静电键合，玻璃接正极，硅片接负极 ， 外加电压为 1500V，键合衬底温度约 300℃，时间约 1h(图1(c))； 7)采用适当的保护将键合片放入EPW 溶液或KOH溶液中腐蚀掉衬底硅片，然后用稀 ttF溶液漂去剩下的S|(]膜，就露出了金属钨尖 (图 1(d))． 二氧化硅 多晶硅 钨 (b)