《微处理器系统结构与嵌入式系统设计》勘误表.pdfVIP

\ 《微处理器系统结构与嵌入式系统设计 （第二版）》勘误表 说明：如发现有其它未收录的错误，敬请发送相关信息到 yanboyu@uestc.edu.cn 页数 位 置 误 正 33 倒数第3 行 应该首先将该存储单元的地址 应该首先将该存储单元的地址经总 经数据总线送入„„ 线送入„„ 正数第4 行 MDR MBR 倒数第5 行 „„，要和内存相互配合„„， „„，处理器要和内存相互配合，某 63 某些中也包含有„„ 些处理器中也包含有„„ 图3-8 下“2.处理器内各 这一段和图3-9 对应关系不是很好，建议同时参看图3-7 和图3-8。 模块间的互连” 65 正数第12 行 指令的执行步骤如图3-12 所 一条指令的执行步骤可能如图3-12 示。 所示。 66 正数第14 行 通常把指令周期分解为„„ 例如，可以把指令周期分解为„„ 81 图3-29 中存储单元地址 （Rs ） Start＋(Rs) 连续处理n 条指令时的时空图 连续处理n 条指令时的实际吞吐量 88 倒数第11 行 如图5.47(b)所示，则实际吞吐 Tp 为„„ 量Tp 为„„ 连续处理n 条指令时的时空图 连续处理n 条指令时的效率E 为„„ 89 正数第5 行 如图5.47(b)所示，则效率E 为„„ 因此从主存储器中读取一个字 因此从主存储器中读取一个字数据 数据需要3 个总线周期，第一 需要2 个总线周期，第一个周期 104 倒数第15 行 个周期从„„，第三个周期 从„„，第二个周期在„„ 在„„ 122 表4-7 中第4 行第一列 0000 （C/BE[3 ：0]信号的取值） 0010 2 2 „I C、Microwire 和CAN 等；„ „I C、Microwire 和SPI 等；„如 127 倒数第8 行 如SPI、RS232 和RS485 等。 CAN、RS232 和RS485 等。 SRAM 完全由晶体管实现，其 SRAM 的基本存储单元是由MOS 管 136 正数第3 行 基本存储单元是双稳态电路 构成的双稳态电路，„„ (c)双译码编址方式（其中M ＝ (c)双译码编址方式（其中M ＝ 142 图5-5 n 2n 2 ，„„） 2 ，„„） 143 正数第10 行 容量为64K 单元（字）时 容量为64K 单元（位）时 ① A ～A ② A ～A 151 正数第10 行