44 w 超高功率808 nm 半导体激光器的设计与制作 - 激光世界.pdfVIP

技术中心 Technologies Center 44 W 超高功率 808 nm 半导体激光器的设计与制作 文/仇伯仓，胡海，何晋国；深圳清华大学研究院，深圳瑞波光电子有限公司 高功率激光器结构设计 得。图3 给出了量子阱光场限制因子 图1 是一个典型的基于AlGaAs gamma 与SCH 厚度之间的关系。由 材料的808 nm 半导体激光器外延 其可见，低限制因子可用两种不同方 结构示意图。由其可见，外延结构 法获得：一种是采用SCH 厚度很薄 由有源区量子阱、AlGaAs 波导以及 的设计；另一种是采用SCH 厚度很 AlGaAs 包层材料组成；在材料选取 厚的设计。SCH 厚度达到 1 μm 左右 上包层材料的Al 组分要高于波