光电池伏安特性曲线与普通半导体二极管相同.pptVIP

图中伏安特性曲线是在受光面积为1cm2的情况下得到的。如果受光面积不是1cm2,则光电流的大小应作相应改变。另外,由于不同光源频谱不同,当光源的种类不同(例如太阳光、白炽灯、萤光灯等)时,即使照度相同,光电池的输出也不相同,输出与照度成比例的范围(或最大照度)亦有区别。 图2.4.9 光电池接非线性负载的情况 光电池有时接非线性负载,例如接至晶体管基极,如图2.4.9(a)所示的情况。当硅光电池与锗管相接时,锗管的基极工作电压在0.2~0.3V之间,而硅光电池的开路电压可达0.5V左右(有负载时电压小于0.5V),因此,可把光电池直接接至锗管的基极使它工作。利用图2.4.9(b)的图解分析可知,当照度自100lx变至800lx时,锗管中的基极电流IB(图中光电池伏安曲线与锗管输入特性曲线AB的交点)和集电极电流IC=βIB与照度Eν几乎成线性变化。 对于硅管,其基极的工作电压为0.6~0.7V,一个光电池不能直接控制它的工作。这时可用两个光电池串联;也可用如图2.4.10所示的电路。图中(a)和(b)分别用可变电阻RW和二极管D产生所需的附加电压,假设为0.3V至0.5V。这样光电池本身只需0.2V至0.4V的光电动势就可以控制晶体管的工作了。 图2.4.10(a)中采用了可变电阻RW,其优点是光电池所需的附加电压可