共溅射磁控溅射法制备AlN：Er薄膜的XPS和PL研究.pdfVIP

第22卷第6期2010年 11月 嘉兴学院学报 VolJ22No．6 2010．11 JournalofJiaxingUniversity 10．3969／i．issn．1008—6781．2010．06．012 共溅射磁控溅射法制备A1N：Er薄膜的XPS和PL研究 胡亚华，张 勇 (嘉兴学院机电工程学院，浙江嘉兴 314001) 摘 要 ：采用共溅射磁控溅射方法 ，以Al+Er为靶材 ，通过 Er和 Al靶 的面积比来控制 Er在 A1N 中的 含量，在 si衬底上制备出A1N：Er薄膜．XRD分析结果表明，样品为非晶态．XPS分析结果表 明，制备的 A1N具有 良好的化学计量 比，Er的含量被控制在 1atm％左右，氧不可避免．光致发光光谱的测试表明，样品 的PL光谱呈现宽谱之上叠加尖峰谱的特征．其 中，尖荧光峰谱源于 Er“的4f轨道直接激发跃迁 ；而宽谱则 可能与 Er“的4f轨道的间接激发跃迁和 0杂质有关． 关键词 ：共溅射磁控溅射 ；A1N：Er；XPS；PL