双靶反应磁控共溅射制备Al掺杂ZnO薄膜及其光电性能.pdfVIP

真空与低温 第 l7卷 第4期 230 Vacuum Cryogenics 2011年 l2月 双靶反应磁控共溅射制备 Al掺杂 ZnO薄膜及其光电性能 刘 丹，李合琴，武大伟，刘 涛 (合肥工业大学 材料科学与工程学院，安徽 合肥230009) 摘 要：采用双靶反应磁控共溅射法在Si(100)和载玻片衬底上制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜 ，利用 x射线衍 射仪 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)、荧光分光光度计、紫外可见光分光光度计 ，四探针测试仪等手段对薄膜进行表 征，研究了Al掺杂对ZnO薄膜结构和光电性能的影响。结果显示，Al掺杂未改变 ZnO的晶体结构，ZAO薄膜沿 (002)晶面生长，具有单一的紫光发射峰，在可见光区透过率大于80％，当zn靶和Al靶溅射功率分别为100W和2O w时，ZAO薄膜的电阻率为8．85x10～W ·cm，表明利