碳酸铈焙烧过程中晶粒长大的蒙特卡罗法模拟 - 有色金属（冶炼部分）.docVIP

碳酸铈焙烧过程中晶粒长大的蒙特卡洛法模拟 曹晓俊，柳召刚，李梅，胡艳红，王觅堂 （内蒙古科技大学 材料与冶金学院，内蒙古自治区稀土现代冶金新技术与应用重点实验室，包头 014010） 摘要：基于蒙特卡洛法模拟对碳酸铈焙烧过程中的CeO2晶粒长大过程进行了计算。结果表明，温度在873以下，晶粒生长比较缓慢，焙烧时间对晶粒的长大没有显著影响；温度大于873后，晶粒生长速度明显，焙烧时间长晶粒明显长大。 关键词：碳酸铈焙烧晶粒长大蒙特卡洛模拟 中图分类号：TG115.21+3.1 文献标识码：A 文章编号：1007-7545（2012）06-0000-00 Monte Carlo Simulation of Grain Growth in Cerium Carbonate Calcination Process CAO Xiao-jun, LIU Zhao-gang, LI MeiHU Yan-hong, WANG Mi-tang (School of Materials and Metallurgy, Inner Mongolia University of Science and Technology, Key Laboratory of Inner Mongolia Autonomous on New Technologies of Modern Metallurgy and Application of Rare Earth, Baotou 014010, Inner Mongolia, China) Abstract: The growth of CeO2 crystal particle in cerium carbonate calcination process was calculated by means of Monte Carlo Model simulation. The results show that the growth rate of crystal particle is quite low when the temperature is below 873 K; while the rate rises sharply when the temperature is higher than 873 K. Key words: cerium carbonate; calcination; grain growth; Monte Carlo simulation CeO2可以应用于电子陶瓷、耐辐射玻璃、玻璃抛光剂、发光材料、紫外吸收材料等方面1-2]。汽车尾气处理，CeO2一种极具潜力的催化剂它还可以应用于pH传感材料燃料电池尤其是固体氧化物燃料电池电极材料以及金属抗氧化及辐射的涂层材料和添加剂等[]。 CeO2各种各样的用途，不仅其化学组成和纯度有关，受其粒度大小、硬度、粒度分布以及密度等的影响。CeO2的这些物性参数受其制备过程工艺参数的影响。CeO2的制备有三个阶段，即沉淀反应、干燥、焙烧其中焙烧过程是影响其物性参数的一个重要因素。 在材料加工过程中宏观变量如温度场、应力场、流场等的变化采用有限元、有限差分等方法计算。对于介观领域来说[]，无法有限元法进行模拟，采用分子动力学方面的规则运算也。但是，领域的性能参数(如晶粒粒度)对材料的性能又有非常重要的影响于是人们提出了种新的方法来处理这个领域的问题。本文采用蒙特卡洛法来模拟碳酸铈焙烧过程中CeO2晶粒长大的过程[56]。 1 正常晶粒长大的一般规律 多晶材料中晶粒长大的抛物线动力学方程可写[4]： （1） 式中d为晶粒平均尺寸，n为晶粒长大指数，t为晶粒长大时间理论上稳态晶粒长大指数n=15，但是实验室值一般都小于理论值。数值模拟是理论层次的计算模拟，有局限性，因此无法全面地反应晶粒长大的全方面信息，而蒙特卡罗法是从微观入手模拟材料组织的演变过程，能较好解决以上问题。 2 蒙特卡洛算法 2.1 模型方法 蒙特卡罗法（MC）的概率模型算式[7]： （2） 其算法的实现过程为： 1）确定单元的结构，对所计算的区域进行单元划分。 2）将该区域映射到一个二维矩阵中，并对该矩阵进行初始化。 3）随机选取一个单元，计算该单元的自由能E。 4）从剩余的Q-1个可能的取向中随机选取一个值赋给该单元并且计算其他自由能E1。 5）比较单元取向改变前后的能量差，若≤0，则新取向被接受，若≥0，则新取向以概率W被接受，其中： （3） 式中K为玻尔兹曼常数，T为温度如果系统为N，则N个这再定向尝试就构成一个蒙特卡洛步（MCS），晶界中一系列单元取向的