改6半导体结型光电器件剖析.pptVIP

第06章 半导体结型光电器件 结型器件和光电导器件的主要区别 产生光电变换部位不同 光敏电阻：任何部位 结型器件：结区及其附近 外加电压不同 光敏电阻：加偏压，无极性要求 结型器件：加偏压则有极性要求；也可不加 响应速度不同 光敏电阻：慢（取决于载流子产生与复合速度） 结型器件：快（取决于载流子漂移运动） 内增益不同 光敏电阻：大 结型器件：光电三极管、雪崩二极管内增益大 第06章 半导体结型光电器件 第06章 半导体结型光电器件 伏安特性 照度—电流电压特性 第06章 半导体结型光电器件 6.3结型光电器件组合器件 第06章 半导体结型光电器件 1．功率放大区 2．短路或线性电流放大区 电流放大型 放大器的输入电阻为： ri =0～10Ω 线性放大区：线性好、输出光电流大，暗电流近似为零、信噪比好，适合弱光信号检测。 时间特性好 电压并联负反馈，输入输出电阻低 硅光电三极管既具有光电二极管的作用，又具有普通晶体三极管的电流放大作用，因而它内增益大，输出光电流大 电极：有三根引线的，也有二根引线的． 光电三极管的结构和普通晶体管类似，但它的外壳留有光窗 工作电压：集电结反偏，发射结正偏 有基极外引线的产品便于调整静态工作点 光电三极管可等效为一个硅光电二极管和一个普通晶体管组合而成。 光电二极管与光电三极管比较 光电三极管：输出光电流大 光电特性“非线性” ,频率特性较差 光照特性 伏安特性 ①在相同照度下，硅光电二极管的光电流在μA级而硅光电三极管的在mA量级。 ②在零偏置下，硅光电二极管仍有光电流输出，而硅光电三极管没有光电流输出。 ③当工作电压较低时，硅光电三极管比光电二级管非线性严重 ④在一定的偏压下，硅光电三极管的伏安特性曲线在低照度时较均匀，高照度时曲线表现出越来越密。虽然光电二极管也有此现象，但硅光电三极管严重得多（照度特性） 温度特性 硅光电三极管的光电流和暗电流受温度影响比硅光电二极管大得多 频率特性——硅光电二极管 决定频率响应的主要因素是电路时间常数τ 对于调制频率为ω的入射光 减小RL虽能提高频率特性，但使输出电压下降（运放） 从电路上看，RL越大输出电压越大，但RL太大会使输出电压呈非线性 频率特性——硅光电三极管 由于非线性光照特性，加之三极管的电流放大作用，硅光电三极管作为光电开关适合于各种光电控制。 决定其响应时间的因素 （a）发射结时间常数 （b）集电结时间常数 RL的选择与光电二极管相同采用高增益、低输入阻抗的运放，改善动态性能 6.2.4 PIN光电二极管 结构： 在掺杂浓度很高的P型半导体和N型半导体之间夹着一层较厚的高阻本征半导体I 结电容变得更小，频率响应高，带宽可达10GHz； 线性输出范围宽，i层较厚，可承受较高偏压 光电二极管的强光饱和原因——光电流过大，导致负载分压过大，光电管偏压减小，内建电场减小，电流下降 PIN管可提高电源电压，缓解偏压减小对内建电场的影响 量子效率高，灵敏度增大 耗尽层厚度增加，增大了光电转换区域（载流子大多出现在耗尽区，能在寿命内漂移到PN区，为光电压作贡献） 提高了对长波的吸收 浅结对短波长吸收多，深结对长波长吸收多 特点： 应用： 光通信等快速光检测领域 高反压(100～200 V) 强电场 载流子加速 碰撞 新载流子 雪崩倍增 －－光电流的放大 1.结构原理： 6.2.5 雪崩光电二极管 响应时间:0.5ns 光电增益M:102～103 截止频率:f=100GHz 噪声等效功率:10-15w 应用领域:光纤通讯、弱信号检测、激光测距等领域。 2.光电增益M ： UB为击穿电压 n：1~3。取决于半导体材料掺杂，辐射波长。 U增加到接近UB －－得到很大的倍增 U很低 －－没有倍增现象 U超过UB －－噪声电流很大 APD合适工作点： U接近UB，但不超过 UB与温度的关系 稳定APD工作点： 1. 稳压 2. 恒温 稳定APD工作点： 1. 稳压 2. 恒温 APD工作电路举例： W1W2为粗细调电位的变阻器 C为稳压电容 R为限流电阻 6.1 结型光电器件的原理 6.2 常用结型光电器件 6.3 结型光电器件组合器件 6.4 结型光电器件的偏置电路 －－也称为集成结型光电器件 6.3.1半导体色敏感器件 6.3.2象限式光电器件 6.3.2光电位置探测器 6.3.4光电耦合器 半导体色敏器件特点：结构简单、体积小、成本低等。 －－在工业上可以自动检测纸、纸浆、染料的颜色；－－医学上可以测定皮肤、