扫描隧道显微镜.doc

扫描隧道显微镜（STM）的原理及其在纳米材料研究中的应用 引言透射电子显微镜在观察物质的整体结构方面是很有用的，但在表面结构的分析上却较困难，这是因为透射电子显微镜是由高能电透过样品来获得信息的，反映的是样品物质的内部信息。扫描电子显微镜（SEM）虽然能揭示一定的表面情况，但由于入射电子总具有一定能量，会穿入样品内部，因此分析的所谓表面总在一定深度上，而且也受到很大限制。场发射电子显微镜FEM）和场离子显微镜（FIM）虽然能很好地用于表面研究，但是样品必须特殊制备，只能置于很细的针尖上，并且样品还需能承受高强电场，这样就使它的应用范围受到了限制。 扫描隧道电子显微镜（STM）的工作原理完全不同，它不是通过电子束作用于样品（如透射和扫描电子显微镜）来获得关于样品物质的信息，也不是通过高电场使样品中的电子获得大于脱出功的能量而形成的发射电流成（如场发射电子显微镜），并以此来研究样品物质，它是通过探测样品表面的隧道电流来成象，从而对样品表面进行研究。STM技术的最大优势在于可获得原子级的分辨率，通常它的分辨率在平行于表面的方向可达0.1纳米，在垂直于表面的方向可达0.01纳米，此外，STM还可实时地获得材料表面实空间的三维图像；可以观察单个原子层的局部表面结构，而不是整个表面的平均性质；配合扫描隧道谱STS可以得到有关表面电子结构的信息，例如表面不同层次的态密度、表面电子势阱等。在STM之后衍生出了原子力显微镜、磁力显微镜、近场光学显微镜等一系列新型非接触表面探针技术显微镜，使探针显微镜技术日趋完善，并在纳米科技领域中得到越来越广泛的应用。 关键词：扫描隧道显微镜、量子隧道效应、纳米材料 一、扫描隧道显微镜的介绍 扫描隧道电子显微镜(scanningtunnelingmicroscope，STM)是一种利用量子理论中的隧道效应探测物质表面结构的仪器，利用电子在原子间的量子隧穿效应，将物质表面原子的排列状态转换为图像信息的。在量子隧穿效应中，原子间距离与隧穿电流关系相应。通过移动着的探针与物质表面的相互作用，表面与针尖间的隧穿电流反馈出表面某个原子间电子的跃迁，由此可以确定出物质表面的单一原子及它们的排列状态。扫描隧道显微镜于1981年由格尔德宾宁GerdK。Binnig及亨利希罗勒HeinrichRohrer）在IBM位于瑞士苏黎世的苏黎世实验室发明，两位发明者因此与厄恩斯特鲁什卡分享了1986年诺贝尔物理学奖。作为一种扫描探针显微术工具，扫描隧道显微镜可以让科学家观察和定位单个原子，它具有比它的同类原子力显微镜更加高的分辨率。此外扫描隧道显微颌在低温下可以利用探针尖端精确操纵原子，因此它在纳米科技既是重要的测量工具又是加工工具。 图1 隧道效应示意图 2、扫描隧道显微镜工作原理 根据量子理论中的隧道效应，电子有几率穿过势垒，而形成隧道电流。扫描隧道显微镜（STM）就是利用这一原理制成的。将被研究的物质（必须是导体）表面和探针作为两个电极，当样品与针尖的距离介于1nm左右时，在外加电压的作用下，电子会穿过这个因为距离形成的势垒而向另一端运动，形成隧道电流I。这个电流满足如下关系： I=K×V×exp（-l×Φ1/2×S）其中，k、l是常数；V是施加在探针和样品之间的电压；Φ是探针和样品的平均功函数，它和探针、样品的材料功函数有关，Φ≈Φ1+Φ2；S是探针和样品间的距离。通过对上式的分析可以发现，对于确定的探针和样品，它们的平均功函数Φ是一个定值，那么隧道电流I是电压V和距离S的一个函数。探针和样品表面的距离S对隧道电流的影响是很明显的；因为它是一个指数函数，即使是距离S的一个微小变化，电流却将变化一个甚至几个数量级。扫描隧道显微镜主要有两种扫描模式：恒电流模式和恒高度模式。恒电流模式。如图所示，x、y方向进行扫描，在z方向加上电子反馈系统，初始隧道电流为一恒定值，当样品表面凸起时，针尖就向后退Keisuke报道了通过STM尖端与样品的点接触在硅表面沉积钨原子构造一维量子阱，可以在需要的位置构造设计好的长度。由于在高密度磁存储方面的潜在应用，磁性纳米团簇的3d过渡金属吸引了越来越多的注意力，WangJun-Zhong小组报道了80°C在硅(111)表面以较低的沉积速率沉积锰，得到了高度排列的锰纳米团簇，STM观察到三维均一的三角团簇和梨状团簇共存，图6(a)显示了锰纳米团簇排列的STM宏观形貌，可以看到长程有序的规则周期性锰纳米团簇排列，其中亮三角星是由相邻的四个团簇构成，团簇的形貌根据样品极性变化的很明显。在硅(111)台阶上可以看到不规则的岛状锰，这些团簇在图6(b)中等尺寸下可以看的更清楚。同时可以发现在团簇形成后硅(111)基片保持了原样，说明锰和硅之间没有发生化学变化。在图6(c)的高分辨率STM图像中可以获得更多的结