第六章 模拟集成电路.pptVIP

第六章 双极型模拟集成电路 集成化元、器件及其特点 集成差分放大电路 电流模电路 功率输出级电路 集成运算放大器 第一节 集成化元、器件及其特点 2 电路元件制造工艺 基区扩散 发射区扩散 蒸铝 NPN 二 集成化元、器件 1 NPN晶体管 在P型硅片衬底上扩散N＋隐埋层，生长N型外延层，扩散P型基区，N ＋型发射区和集电区 2 PNP晶体管 从隔离槽P＋上引出集电极，载流子沿晶体管断面的垂直方向运动 优点： 制造方便 基区较NPN宽 特征频率高 输出电流大 缺点 由于隔离的需要，C极必须接电路电源最低电位 常作射极跟随器 (2)横向PNP管: 发射极和集电极横向排列，载流子沿断面水平运动。 缺点： 由于加工原因，基区宽度比普通NPN大1－2个数量级，?很小，特征频率低 优点： 因为由轻掺杂的P型扩散区和N型外延区构成，e结和c1结反向击穿电压高 3 多发射极管和多集电极管 4 二极管 晶体管制作时，只要开路或短路某一PN结即得： 5 电阻: 金属膜电阻:温度特性好 扩散电阻，按结构分： 基区电阻 50?－100K? ?＝±20% 发射区电阻 1－1000 ? （电阻率低） 窄基区电阻 电阻率高 10－1000K ?＝±20% 虽集成化电阻阻值误差大，但为同向偏差