电力电子技术二 电力电子器件概述.pptVIP

下 页 上 页 返 回 第二章 电力电子器件概述 0 开关控制信号 toff ton 导通 关断 Ts=1/fs t Ud t I0 Uon td(on) td(off) tfi tc(off) trv tfv tri tc(on) iT 0 0 UdI0 Pr(T) Wc(on)=UdI0tc(on)/2 Wc(off)=UdI0tc(off) /2 Won t 开关电流在电流下降时间tfi内下降到0，电流I0反向，并从二极管VD中流过。 在转换时段tc(off)内，开关电压和开关电流同时具有较大值。 tc(off) = trv +tfi 下 页 上 页 返 回 第二章 电力电子器件概述 0 开关控制信号 toff ton 导通 关断 Ts=1/fs t Ud t I0 Uon td(on) td(off) tfi tc(off) trv tfv tri tc(on) iT 0 0 UdI0 Pr(T) Wc(on)=UdI0tc(on)/2 Wc(off)=UdI0tc(off) /2 Won t 关断过程中的开关能量损耗为： Wc(off)=1/2UdI0tc(off) 瞬时能量损耗为： PT(t)=uTiT 导通和关断期间的瞬时开关能量损耗大。 瞬时能量损耗 下 页 上 页 返 回 第二章 电力电子器件概述 开关开通、关断的转换所导致的能量损耗可由式Wc(on)=1/2UdI0tc(on)和式Wc(off)=1/2UdI0tc(off )表示为: 半导体开关能量损耗随着开关频率和开关时间增加呈线性增加的关系。 下 页 上 页 返 回 第二章 电力电子器件概述 导通时的平均能量损耗Pon也会导致开关能量损耗，它按比例随着通态电压而变化。其开通损耗为： 开关的通态压降应该尽可能小。 可控开关断态时的漏电流比较小，可忽略不计，实际应用中的断态能量损耗也可忽略。开关的平均能量损耗为： PT=Ps+Pon 下 页 上 页 返 回 第二章 电力电子器件概述 可控开关的特性 器件处于断态时，漏电流很小。 较低的通态压降Uon可减少通态能量损耗。 导通和关断转换时间较短，能够使器件在较高的开关频率下工作。 较好的正、反向电压阻断能力使得器件不需要级联许多器件。 电流较大的电路中，可控开关通态电流额定值较高，无需并联器件，避免了电流分配的问题。 下 页 上 页 返 回 第二章 电力电子器件概述 正的通态阻抗温度系数能够确保并联元件平均分配总电流。 只需要较小的电流来触发可控开关，这将简化控制电路的设计。 开关动作期间，器件可同时承受额定电压和额定电流的电压和电流值，不需要外部保护电路。 可控开关可承受较大的电压、电流变化率，因此可简化外部保护电路的复杂性。 下 页 上 页 返 回 2.5 双极结型晶体管和达林顿管 第二章 电力电子器件概述 2.5.1双极结型晶体管和达林顿管的基本特性 UCE UBE - E C B iB iC + - + iB1 iB2 iB3 iB4 iB5 iB=0 uce I iD 0 Uce(sat) 伏安特性 下 页 上 页 返 回 第二章 电力电子器件概述 iB1 iB2 iB3 iB4 iB5 iB=0 uce I iD 0 Uce(sat) 伏安特性 基极电流只有足够大才可使得器件完全导通。控制电路必须提供足够大的基极电流。两者电流的关系为： IBIC/hFE 式中，hFE是元件的直流电流增益。 uCE 截止状态 导通状态 iC 0 BJT理想化伏安特性曲线 下 页 上 页 返 回 第二章 电力电子器件概述 通态时，基极电流必须保持不变。大功率晶体管的直流电流增益hFE的值通常在5到10之间。 双极结型晶体管 电流控制型元件 UCE UBE - E C B iB iC + - + UCE UBE - E C B iB iC + - + 得到更大的电流增益 下 页 上 页 返 回 第二章 电力电子器件概述 达林顿晶体管对电压非常敏感，轻微的过电压uCE(sat)就会导致它的损坏，且整体开关速度较慢。 不论是单个器件或单个芯片上的达林管结构，BJT在关断期间都有一个储存时间。开关时间一般是在几百纳秒到几微秒的范围内。 下 页 上 页 返 回 第二章 电力电子器件概述 2.5.2 BJT的主要参数 1集电极额定值电压VCEM 最高集电极电压额定值是指集电极的击穿电压值，它不仅因器件不同而不同，即使是同一器件，也会由于基极电路条件的不同而不同。 2 集电极额定值电流ICM 以b值下降到额定值的1/2至1/3时的IC值为ICM； 以结温和耗散功率为尺度