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256元集成热释电阵列红外成像信号的读出和检测 - CORE
2001 12 4
①
256
1, 2, 3 1, 2 2 3
袁宁一 ,李金华 ,陈王丽华 ,林成鲁
1.信息科学系,功能材料实验室,江苏石油化工学院,常州 213016
2.应用物理系,智能材料研究中心,香 理工大学,香 九龙
3.国家信息功能材料重点实验室,中科院上海冶金所,上海 200050
: 根据无机纳米陶瓷与聚偏氟乙烯-三氟乙烯复合敏感膜电容元件具有高阻抗的
特点,设计了 MO S场效应管为敏感元件作阻抗转换,用串联 MO S管作各元件的通断隔离,
用双 16级移位寄存器作集成热释电阵列 X, Y向的寻址控制,保证了 16× 16面阵红外成像
信号的可靠读出.设计了由时钟信号产生、X、Y选通和揿零等功能的 256元集成热释电阵
列红外成像信号的检测电路,满足了单元信号手动测试和 256元自动信号测试的要求.
: 红外成像阵列;读出电路;微信号检测
: TN219 : A : 1004-1699( 2001) 04-0380-06
1
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① : 2001-10-31
4 ,: 256
381
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2 256
2. 1
16× 16 1.(x, y) 16
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, 16、,
MOS MO S,,
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CMOS, 16× 16 MOS,
5μm., 1
[6]
μm, 40 nm Ni-Cr ,. 95% .
图 1 256元集成阵列结构示意
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MOS, 2. MO S
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[7]
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2. 3
2,, M OS MO S,
2001
382
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X Y X
16,, 16 16× 16
Y
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X Y X Y
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图 2 面阵的热敏单元读出电路
3
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[8] [9] [10]
( CCD) 、CMO S BiMOS . CMOS.
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MOS,.
2,, W、 R、 RL、 D
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