GaN 基纳米阵列LED 器件制备及发光特性.PDFVIP

第３７卷　 第１２期 发　 光　 学　 报 Ｖｏｌ３７ Ｎｏ１２ ２０１６年１２月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｄｅｃ. ꎬ２０１６ 文章编号:１０００￣７０３２(２０１６)１２￣１５３８￣０７ ＧａＮ基纳米阵列ＬＥＤ器件制备及发光特性 ∗ 智　 婷ꎬ 陶　 涛ꎬ刘　 斌 ꎬ庄　 喆ꎬ谢自力ꎬ 陈　 鹏ꎬ张　 荣ꎬ郑有炓 (南京大学 电子科学与工程学院ꎬ江苏 南京　 ２１００９３) 摘要:为了降低ＧａＮ材料中因应变诱导的量子斯托克斯效应ꎬ增加器件有源区内的电子￣空穴波函数在实空 间的交叠从而提高ＧａＮ基ＬＥＤｓ的发光效率ꎬ采用紫外软压印技术制备了均匀的周期性纳米柱阵列结构ꎬ结 合常规ＬＥＤ器件微加工技术获得了ＩｎＧａＮ/ ＧａＮ基蓝光与绿光纳米阵列 ＬＥＤ器件并对其进行了表征分析ꎮ 结