光电子技术第三章光辐射探测器（二）.ppt

5.伏安特性 光电倍增管的伏安特性一般是指阳极电流与最后一级倍增极和阳极间的电压的关系。 曲线形状与PD的相似。 同样可以利用伏安特性进行负载电阻设计，输出电流、输出电压的计算等，计算方法参照光电二极管。 6.频率特性 频率高达1MHZ以上，仍有高的灵敏度。 7.暗电流 指各电极都加上正常工作电压以后，阴极无光照时阳极的输出电流。 GDB中产生的暗电流的因素较多，如：阴极和靠近阴极的倍增极的热电子发射；阳极或其它电极的漏电；由于极间电压过高而引起的场致发射等。 8.疲乏特性 GDB工作中随时间的延长灵敏度下降。 是鉴别GDB质量的重要参量之一。 使用时忌强光照射；不使用时，应存放在黑暗的环境中。 9.放大特性 电源电压升高，电子在电场中的速度加快，动能增大，在倍增电极中可以打出更多的二次发射电子，因而放大系数或灵敏度增大。这一特性可以用来自动调节光电倍增管的灵敏度。 三、供电电路 光电倍增管一般采用电阻链分压办法来供电。 1.分压电阻的确定 总电压UAK在1000～1300伏之间， 倍增极间电压在80～100伏之间。 R1与末几极R应取较大数值，中间电阻可均匀分配。 2.并联电容的确定 光电倍增管用于探测光脉冲 时，常在最后几级并联旁路电容C1、C2、C3。 C2、C3的电容值，大概为C1的1/δ、1/δ2，约为0.002～0.005μF。 3.高压电源 一般配有专用高压