光电子技术第一章光电系统的常用光源.ppt

经推导：重掺杂半导体是具有增益的激光介质 重掺杂P型、N型半导体的能带 热平衡时PN结的能带弯曲(是PN结区自建电场作用的结果） 加上正向电压后， PN结势垒降低 PN结达到动态平衡时，一个平衡系统只能有一个费米能级。自建电场的方向由N区指向P区，P区、N区的电子能级差为： PN结主要特性:单向导电性 E E V E V 零偏 正偏 反偏 3、PN结的电流电压特性 PN结加上正向电压时，热平衡被破坏，PN结区势垒降低，实现了粒子数反转分布。 电子、空穴复合发光，引发受激辐射。经谐振腔选频，可形成激光输出。 PN结就是光辐射的有源区。 二）. LD产生激光的条件 同其他激光器一样，要使半导体激光器产生相干辐射，也必须具备三个基本条件： 为了形成稳定振荡，激光媒质必须能提供足够大的增益，使光增益等于或大于各种损耗之和。 这就要求有合适的泵浦源提供足够强的电流注入，必须满足一定的电流阈值条件。 3. 有一个合适的谐振腔使受激辐射在其中得到多次反馈而形成激光振荡。半导体激光器的光学谐振腔由激光器两端因半 导体材料和周围空气之间折射率突变而引起的光反射形成。 半导体中产生受激辐射的条件是导带与价带的准费米能级之差必须大于等于半导体禁带宽度。 Eg = E2 - E1 = h? Eg : 半导体禁带宽度 （2）. 离子气体激光器 1) 工作物质:离