CLAN070NP01线类不良解析成因概要1.pptVIP

P* P* CLAN070NP01 线类不良解析成因说明 070NP01线类趋势图 1、G-CS Short 第44周开始拦截，第46周即11/18开始导入专门检画面（边框画面） 070NP01线类解析成因趋势 * G-CS short 解析成因：ESD静电击伤 1、不良现象：开机瞬间可见明显亮线，常态后可见渐近线，有漏电现象； 2、点灯现象集中靠近S IC位置，G597-G600通道之间 * 3、解析成因为G597-G600通道之间存在ESD击伤现象（存在两种模式） G-CS short 解析成因：ESD静电击伤 模式一 模式二 * P檢點燈幾攔截確認 4. 回拆8PCS P檢點燈，其中6PCS可見（照片1击伤位置），2PCS不可見（照片2击伤位置） SW 5、探針不可攔截說明（照片2）：靜電擊傷位置為SW，SW在P檢探針點燈時給高電平，開關保存常開是Gate信號正常輸入，COG点灯，SW正常为关闭状况，但实际受ESD击伤影响，存在漏电，因此COG能拦截此不良； 6、導膠點燈發現P見導膠條并無完全覆蓋端子部PAD點（如照片3），因此P检导胶不可见； 照片1 照片2 照片3 G-CS short 解析成因：ESD静电击伤 FIB切片分析 7、FIB解析為CH覆蓋完整，SE與GE受損，可能發生工程為SE至CHS區間--ARRAY A、COG 站不良主要与模式2/3一致； B、模式1/4，在P检探针直接可见不良 * G-CS short 解析成因：ESD静电击伤---拦截对策 8、MLCM厂内11/8 接收到IDS 客诉不良品后，发现是ESD静电击伤， 11/8夜班，开始导入全画面检； 9、对策批出货至IDS后，依然发现IDS OBA此项不良率为0.3%-0.5%， MLCM 11/17 开发边框画面单独进行拦截，拦截率较之前提升1倍； 10、MLCM 11/18开始全部切入边框画面拦截---目前拦截率在1% 1、解析成因主要为端子单断，断裂位置发生在框胶以内，面板责任； 2、端子单断，COG点灯可拦截； 3、端子单断，P检探针点灯不可拦截，导胶可拦截;COG点灯可见不良为P检Loss; S Line/short/多条亮线解析成因： S Line/short/多条亮线解析成因： 1、不良品OM下均无视任何异常，Boding/端子走线均OK； 2、不良品更换FPC/IC，不良跟随面板； 3、不良品在相应的线类的Contel hole做LR修补，不良现象消失，确定为Contel hole位置异常； 4、P检检出能力说明： A、P检使用探针点灯无法检出 B、P检使用导胶有机会检出，但现象比较轻微，但P检导胶的假线需要解决（另外P检的辉度/检查的视角/检查的画面/驱动方式/P检偏前使用的治具关联性需要在排查）； P检与M检的驱动方式差异性：Frame 60HZ, P检 每G的充电时间远高于M检； P检V-COM接地，M检DC-V-COM 3.5V，此机种Black机种 S Line/short/多条亮线解析成因： S Line/short/多条亮线解析成因： 頁眉 * 頁眉 * 頁眉 * 頁眉 * 頁眉 * 頁眉 * 頁眉 * 頁眉 * 頁眉 * 頁眉 * 頁眉 * 頁眉 * 頁眉 * 頁眉 頁眉 P* P*