瓦级大功率InGaN蓝光LED的光色电特性 - 发光学报.PDFVIP

第３０卷　第３期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３０ Ｎｏ３ ２００９年６月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｊｕｎ．，２００９ 文章编号：１０００７０３２（２００９）０３０３７９０６ 瓦级大功率ＩｎＧａＮ蓝光ＬＥＤ的光色电特性 １，２ １ １ ２ ２ ３ 林介本 ，郭震宁 ，陈丽白，吴利兴 ，阮源山 ，林瑞梅 （１．华侨大学 信息科学与工程学院，福建 泉州　３６２０２１； ２．福建省泉州市紫欣光电有限公司，福建 泉州　３６２０００； ３．福建省厦门光莆电子有限公司，福建 厦门　３６１００６） 摘要：封装并测量了瓦级大功率ＩｎＧａＮ蓝色发光二极管（ＬＥＤ）在不同正向电流Ｉ驱动下的光通量、电功率、 Ｆ 发光效率、发射光谱和色品坐标等参数的变化。研究表明，光通量与电功率随Ｉ的增大呈亚线性增加，而发 Ｆ 光效率 则下降。当Ｉ从５０ｍＡ一直增大到４５０ｍＡ左右时，发射光谱的峰值波长 随Ｉ的增加发生蓝 η λ Ｆ ｐ Ｆ 移，蓝移现象可能与ＩｎＧａＮ蓝光ＬＥＤ芯片在较大电流时能带被拉平以及Ｉｎ成分的作用有关。当Ｉ大于５００ Ｆ ｍＡ或８００ｍＡ后， 又发生红移，红移现象可能与大电流注入下ＩｎＧａＮ蓝光ＬＥＤ芯片产生的热效应以及电 λ ｐ 子空穴对辐射复合有关。此外，光谱的半峰全宽（ＦＷＨＭ）产生宽化现象，色坐标ｘ和ｙ值也发生变化。 关　键　词：大功率；ＩｎＧａＮ基蓝光ＬＥＤ；蓝移；红移 中图分类号：Ｏ４８２．３１；ＴＮ３１２．８　　　ＰＡＣＳ：７８．６０．Ｆｉ　　　ＰＡＣＣ：７８６０Ｆ　　　文献标识码：Ａ 必须深入认识ＩｎＧａＮ蓝光ＬＥＤ的性能。但是，对 １　引　　言 于蓝光ＬＥＤ的光色电特性，特别是蓝光 ＬＥＤ峰 近几年来ＬＥＤ芯片发光效率不断提高，使得 值波长随驱动电流增大先蓝移后红移的现象，仍 白光ＬＥＤ作为固态照明光源逐步被人们实现。 未见有系统的报道。因此，深入系统地研究大功 随着大功率ＬＥＤ芯片技术与光伏技术的发展，大 率ＩｎＧａＮ蓝光ＬＥＤ的光色电性能对提高大功率 功率白光 ＬＥＤ将有可能与太阳能电池等节能电 蓝光ＬＥＤ芯片品质和制备大功率白光ＬＥＤ有着 源集成而成为未来绿色的全固态节能照明光源， 十分重要的参考价值。 如太阳能路灯等。由于白光 ＬＥＤ具有广阔的照 本文封装并测试了瓦级大功率 ＩｎＧａＮ蓝光 明市场，各个国家和地区均投入巨资研发白光 ＬＥＤ的光通量、电功率、发光效率、发射光谱和色 ＬＥＤ照明光源。 品坐标等参数的变化，深入分析了光色电参数的 ［１，３］ 白光ＬＥＤ的制备有多种方案 ，其中ＩｎＧａＮ 变化规律，并对其变化的具体原因进行了深入 蓝光芯片激发ＹＡＧ黄色荧光粉仍然是目前照明 探讨。 市场上最主流的白光 ＬＥＤ实现方案。因此，