用PAA 模板法实现硅基纳米孔阵列结构 - 物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 )% 4 ’$$I 4 ， ， ， QL ,)% TL ,4 UMV ’$$I （ ） #$$$;’I$R’$$IR)% $4 R(II4;$) 9729 06S-N79 -NTN79 !’$$I 7J=* , 0JVB , -LD , 用! 模板法实现硅基纳米孔阵列结构! ! 白安琪 胡 迪 丁武昌 苏少坚 胡炜玄 薛春来 樊中朝 成步文 俞育德 王启明 （中国科学院半导体所，集成光电子国家重点实验室，北京 #$$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ’$$% ## #( ’$$% #’ ’’ 用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄（ — ）的多孔阳极氧化铝膜，贴合到硅片上进行 )$$ #$$$ *+ 干法刻蚀，实现图形转移，得到了硅基纳米孔阵列结构，并对工艺中影响图形转移质量的因素进行了探索 扫描电 , 镜（ ）测试结果表明该途径得到的纳米结构孔形态均匀且大面积有序，孔深度可达到 对该样品进行热氧 -./ #’) *+ , 化处理后进行光致发光（ ）测试，结果表明其光致发光机理是基于通常较微弱的 声子辅助的硅带边发光，并实 01 23 现了显著发光增强，对这种增强效果的物理机理进行了理论分析, 该结构具有的独特光学特性为利用这一途径改 变硅的弱发光性质，乃至实现硅基高效发光带来曙光, 关键词：多孔阳极氧化铝模板，硅基纳米孔阵列结构，图形转移 ： ， !## 4%5)6 %#5$ 而当模板达到这一厚度时，变得易碎，对其进行腐 #H 引 言 蚀、转移等操作非常困难，成为纳米结构图形转移操 作上的瓶颈 本文采用二次氧化法获得超薄（ — , )$$ 硅基低维材料由于存在量子限制等效应，具有 #$$$ *+）且高度有序的氧化膜，并改进工艺流程，将 与体硅材料不同的发光特性，在硅基光电子器件及 二次氧化后的模板先反向贴在硅衬底上，在衬底上 ［— ］ 硅基光电子集成技术中有广阔的应用前景# , 通过滴液法进行去铝、通孔操作，避免了对超薄膜的 #II$ 年7*J+ 发现