碳化硅纳米晶须的制备研究进展 - Nano Electronic Materials and .PDFVIP

第9 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.22 No.9 2003 年9 月 ELECTRONIC COMPONENTS MATERIALS Sep . 2003 信息材料及应用 碳化硅纳米晶须的制备研究进展 吴艳军 蔡炳初 张亚非 吴建生 上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室 微纳米科学技术研究院 上海 200030 摘要:介绍了制备 SiC 纳米晶须的方法 包括 固相碳源法 电弧放电 电阻加热蒸发 SiOx 薄膜生长及 CNTS 受限反应法 液相碳源法 sol-gel 及气相碳源法 浮动催化剂法 Fe 纳米薄膜催化法 等 分析了各种方法的特 点及存在的问题 对制备SiC 纳米晶须的前景与发展方向进行了评述 关键词: SiC 纳米晶须; 制备方法; 纳米电子材料 纳米复合材料 中图分类号: TN304.05 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 2003 09-0041-04 New Progress on Manufacture Technology for SiC Nanorods WU Yan-jun, CAI Bing-chu, ZHANG Ya-fei ,Wu Jian-sheng (State Key Lab of Thin Film and Micro-Fabrication, the Research Institute of Micro/Nano Meter Technology, Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200030, China) Abstract: Some manufacture technologies for SiC Nanorods are presented. They are the process of solid-phase carbon source, including arc-discharge, evaporation at high temperature, growth of SiO film and carbon nanotube-confined reaction; x the process of liquid-phase carbon source, including sol-gel; and the process of vapor-phase carbon source, including floating catalysis and nano-film catalysis Key words : SiC nanorods; manufacture technology; nano-electronic material; nano-composite material 碳化硅具有宽带隙 高临界击穿电压 高热导率 须主要是立方相b-SiC 晶型[8] 高载流子饱和漂移速度等特点[1~3] 是第三代宽带隙半 本文介绍了目前国内外已经报道的制备 SiC 纳米 导体材料 主要应用于高温 高频 大功率 光电子 晶须的主要方法和笔者最新的相关工作 由于多数制 和抗辐射器件 尤其在高速电路器件 高温器件和高 备 SiC 纳米晶须的生长系统中使用的硅源是固相材 [4] 料 功率器件中有着巨大的