insb红外焦平面器件台面刻蚀工艺研究 - 激光与红外.pdf

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insb红外焦平面器件台面刻蚀工艺研究 - 激光与红外

第46卷  第1期                激 光 与 红 外 Vol.46,No.1   2016年1月                LASER & INFRARED January,2016   文章编号:10015078(2016)01007204 ·红外技术及应用 · InSb红外焦平面器件台面刻蚀工艺研究 谭 振,亢 ?,李海燕 (华北光电技术研究所,北京 100015) 摘 要:传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性的特点,象元钻蚀严重,导致器件占空比下降,限制 了锑化铟大面阵红外焦平面的发展。基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以BCl/Ar为刻 3 蚀气体,研究了不同气体配比、工作压力、RF功率对刻蚀效果的影响,获得了适用于锑化铟焦 平面制备工艺的干法刻蚀技术。 关键词:电感耦合等离子体(ICP);锑化铟;台面刻蚀;刻蚀速率;刻蚀形貌 中图分类号:TN214  文献标识码:A  DOI:10.3969/j.issn.10015078.2016.01.014 StudyofmesaetchingforInSbinfraredfocalplanearrays TANZhen,KANGZhe,LIHaiyan (NorthChinaResearchInstituteofElectrooptics,Beijng100015,China) Abstract:AsthetraditionalwetetchingofInSbhasthecharacteristicofisotropy,thereisheavypixelunderetch, whichdecreasesthefillfactorandlimitsthedevelopmentoflargeformatinfraredfocalplanearrayInthispaper, BCl/Ararechosenasetchgas,andtheeffectsofgasratio,workingpressure,RFpowerandICPpoweronetching 3 effectarestudiedbasedonICPtechnologyThedryetchingtechniqueisobtainedforInSbFPAfabrication Keywords:ICP;InSb;mesaetch;etchrate;etchingmorphology 1 引 言 2 实 验 InSb是制备高性能中波红外探测器的常用材 本实验使用的刻蚀设备为电感耦合等离子体 料,其材料、器件制备工艺成熟稳定,探测器灵敏度 (ICP)刻蚀系统。使用的样品是经过扩散成结的 [1] 高,在军用红外凝视探测器领域占据主导地位 。 InSb晶片。采用标准光刻工艺进行 InSb焦平面器 随着InSb红外焦平面探测器的发展,焦平面阵列规 件台面光刻,经ICP刻蚀后完成器件工艺,用激光共 格越来越大,象元尺寸和间距越来越小,台面图形精 聚焦显微镜、SEM以及低温探针台对刻蚀效果进行 确刻蚀成型成为制备大面阵探测器芯片的首要问 评价。 [3] 题 。传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性导致横 图1是ICP干法刻蚀原理示意图,系统工作时, 向钻蚀严重,同时其均匀性也较差,难以满足大规格 射频功率(ICP功率)通过电感耦合线圈耦合在反应

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