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第 29 卷 第 2 期 核 聚 变 与 等 离 子 体 物 理 Vol.29, No.2 2 0 0 9 年 6 月 Nuclear Fusion and Plasma Physics June 2009 文章编号：0254-6086(2009)02-0182-07 工作参数对平面直流磁控溅射放电特性的影响 1 1 1 2 2 邱清泉 ，励庆孚 ，苏静静 ，JIAO Yu ，Finley Jim (1. 西安交通大学电气工程学院，西安 710049 ；2. PPG Glass RD Center, Pittsburgh, Pennsylvania 15238, USA) 摘 要：基于OOPIC软件，对平面直流磁控溅射放电等离子体进行了二维自洽粒子模拟，重点研究了磁场、阴 极电势和气压等工作参数对磁控放电特性的影响。模拟发现，在一定的工作参数范围内，随着磁场的增强，鞘层厚 度变窄，鞘层电势降减小，阴极离子密度增大，但是分布变窄；随着阴极电势的增加，鞘层厚度稍微变窄，鞘层电 势降增大，阴极离子密度增大，分布变宽；随着气压的升高，鞘层厚度基本不变，鞘层电势降会增大，阴极离子密 度先增大后减小，分布略微变宽。 关键词：磁控溅射；放电；等离子体；粒子模拟；OOPIC 中图分类号：O484 ；O53 ；O461 文献标识码：A 1 引言 对于放电等离子体模拟，由于动力学模型、流 平面直流磁控溅射装置被广泛应用于镀膜和 体模型、混合模型和简化模型存在诸多限制[16] ，要 微电子行业。由于磁场的存在，磁控溅射装置可以 想获得比较精确的放电特性，采用自洽PIC/MCC模 在比较低的电压和气压条件下工作。磁场可以将高 拟[2~11, 15]是一个比较好的选择。Nanbu等人[3, 4]对矩 能电子约束在阴极附近，这些被约束的电子通过电 形平面磁控溅射装置放电等离子体进行了三维自 离中性气体，在阴极靶表面附近形成高密度的等离 洽粒子模拟，除了Nanbu 以外，以后就很少有人进 子体。由这些电子电离所产生的离子以比较高的能 行过类似的工作。Kondo [5, 6]在Nanbu的基础上通过 量向阴极加速，离子对靶材的轰击不仅可以溅射出 三维自洽模拟发现，对于轴对称的磁体，放电等离 用于镀膜的靶材材料，而且还可以产生二次电子以 子体分布也是轴对称的，因此可以采用二维分析。 维持放电。 另外，Shon[7, 8]、Kolev[9~11]等人分别采用自洽粒子 各种结构的磁控溅射装置尽管已经被应用了 模拟方法对磁控放电等离子体进行了二维仿真，并 数十年，但其工作中的物理过程尚未被完全理解， 对模拟方法，模拟结果进行了一定的分析。另外， 存在理论和实验两方面的原因。理论上的主要障碍 由于自洽模拟需要很长的计算时间，根据Kolev[10] 是目前无法解释在高磁场和低气压的情况下，等离 的计算，在较低的气压下，亚稳态氩原子、快氩原 子体穿越磁力线的反常扩散现象[1] 。由于大部分高 子、靶材离子和靶材原子对放电的影响可以忽略。 密度等离子体以及对应的关键过程位于靠近鞘层 因此，可以方便地采用二维自洽粒子模拟软件 的位置，厚度很薄，仅为几个mm ，因此通过实验 OOPIC对磁控溅射放电特性进行分析。 手段对磁控放电