硅直接键合技术及其在压力传感器中的应用研究.pdfVIP

摘要 摘要 Direct 硅直接键合技术(Silicon 加』=有机地结合在一起，并开始不断应用于MEMS传感器和执行器。硅直接键合技术有众多的优点： 两键合硅片的品向、电阻率、导电类型可自由选择，设计自由度大；硅直接键合没有中间层，与其 后的高温操作完全兼容；由于键合层的热胀系数一致，键合界面几乎无热应力；它能形成各种精密 的腔、微结构及单晶硅薄膜；且单晶硅膜的机械性能优于多晶硅膜。因此，硅直接键合与传统的硅 微机械)JIl_E技术相结合，以及与深反应离子刻蚀相结合，是形成器件结构的一种新途径，可以研制 出各种新颖的结构，能被用米制作高性能的硅微压力传感器。硅微压力传感器广泛应用于在生物医 学系统、航空航天、油井仪器设备、工业过程控制、环境监测等领域，州硅直接键合技术制备压力 传感器是一个非常值得研究的课题。 密封腔在MEMS器件中有多种应用，利用硅直接键台形成密封腔t；t前已成为这方面的主流技 术，器件性能强烈地依赖于密封腔内压力的大小和稳定性，以及覆盖丁密封腔上方薄单晶硅膜的形 变。本文采州压力传感器测试结构，在不同的气氛(104mbar的真空、氯气、氧气、空气)中利用 硅直接键合成功制作了各种不同图形、不同体积、不同密度的密封腔，着重研究了键台利高温退火 后密封腔的压力以及高温退火后密封腔上方的单晶硅膜的形变，分析了密封腔的几何尺寸、腔深、 密度、键合气氛对实验结果的影响，为各种MEMS器件中密封腔微结构的设计提供了参考。还进行 了真空中石丰直接键合形成密封腔的气密性实验，结果表明，硅直接键合形成密封腔的气密性和民期 稳定性较好，可广泛用于MEMS密封腔结构的制备。 多层硅直接键合技术一直是研究的热点，文中采用了Hj氧等离子体激活键合表面，以提高键合 能，进行两层／三层硅片的键合工艺研究，进行了一系列的相关实验，将完成键合的硅片分别进行拉 力强度测试和键台界面观察，结果说明硅直接键合的强度接近于体硅的强度。文中提出利用两次键 andetched．back 合技术及SOl白停止腐蚀制备均匀单晶硅膜的方法，对于BESOl(Bonded 表明各点的起伏均在-+0．15um以内，均匀性在工艺所能达到的范围内。 硅直接键合技术有多种应用，其中一项重要麻』|1就是制备压力传感器，与之前研究较多的压阻 式相比，电容式压力传感器由于其相对高的灵敏度、低功耗、低噪卢、较人的动态范围、高稳定性 以及低的温漂特性，日益成为研究的热点。本论文结台硅直接键合的特点，在前期研究的基础上， 提出了一种新型的硅直接键合电容式绝对压力传感器结构，基于硅直接键合提供了能过压保护的真 空密封参考腔，键合形成SOI片不仅能提供机械性能良好的单晶硅膜，而且精确控制r敏感膜的厚 度，同时电极做在真空腔外消除了电极引出及寄生电容的问题。给出了具体的工艺流程和流水结果。 181．5ppm／。C，是硅直接键合技术制备压力传感器的一个成功应用。同时我们也利用制备的SOI片， 为0．24mV／mbar，成功地应用了硅直接键合技术。 MEMS， 关键词： 硅直接键合， 密封腔， 多层键合，BESOI，压力传感器 东南人学硕J二学位论文 Abstract SiliconDirect anew of hasbeen used Bonding(SDB)istypemicromachiningtechnology，andwidely inMEMSsensorsandactuatorscombinedwith bulk andsurface micromachining Direct has merits：More of the ofthe Bondingmany