溅镀技术原理pvd 成膜机制说明.pdfVIP

下载本文档

39
0
约4.63千字
约 8页
2017-09-03 发布于天津
举报
版权申诉

溅镀技术原理pvd 成膜机制说明.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

溅镀技术原理pvd 成膜机制说明

C R. Yang, NTNU MT 濺鍍技術原理濺鍍技術原理 Principle of Sputter Technology Principle of Sputter Technology 台灣師範大學機電科技研究所 -1- C R. Yang, NTNU MT PVD 成膜機制說明 PVD 成膜機制說明 PVD之基本機制: +能量 +基板 A(s) A(g) A(s) / 基板薄膜之生成並不經化學反應。只是將固態原料 (A)氣化，然後再固化沉積在基板上。薄膜之組成成份和原料相同。台灣師範大學機電科技研究所 -2- C R. Yang, NTNU MT Physical Vapor Deposition (PVD) Physical Vapor Deposition (PVD) Sputtering Sputtering TiN, TiW 台灣師範大學機電科技研究所 -3- C R. Yang, NTNU MT 電漿 (plasma) 電漿 (plasma) 電漿的產生是靠電子在電場中加速，此極高動能電子碰撞氣體原子或分子而產生解離，形成一正離子和一電子。比如下列反應： e- + Ar Ar+ + 2e- 但是電子在碰撞前的能量，需在電場中累積到大於離子化所需的最低能量，此能量的累積量，取決於電場和平均自由途徑的大小。台灣師範大學機電科技研究所 -4- C R. Yang, NTNU MT 基本濺鍍原理基本濺鍍原理台灣師範大學機電科技研究所 -5- C R. Yang, NTNU MT 薄膜沉積機制薄膜沉積機制長晶(Nucleation) 晶粒成長 (Grain growth) 晶粒聚結 (Coalescence) 縫道填補(Filling of channels) 薄膜成長(Film growth) 台灣師範大學機電科技研究所 -6- C R. Yang, NTNU MT 影響薄膜成長的因素影響薄膜成長的因素基板的溫度：表面的活動能力(surface mobility) 表面脫附(surface desorption) 界面擴散 (interdiffusion) 成長速率