石英基底的ITO薄膜制备及光电性能 (1).pdf

第 34卷第 1期 大 连 工 业 大 学 学 报 VoL34NO．1 2015年 1月 JournalofDalian PolytechnicUniversity Jan．20 15 文章编号 ：1674—1404(2015)01—0060—04 石英基底的ITO薄膜制备及光电性能 徐 书 林 胡 志 强 ， 张 临 安 聂 铭 歧 ， 张 海 涛 (1．大连工业大学 新能源材料研究所 ，辽宁 大连 l16034； 2．锦州新世纪石英 (集 团)有限公司，辽宁 锦州 121000) 摘要 ：采用脉冲磁控溅射法在高纯石英基底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。通过x射线衍 射仪、扫描电镜对石英基底上 IT0薄膜的微观结构及表面形貌进行了分析，并且研究了溅射气压、溅射 时间和衬底温度等工艺参数条件对以石英玻璃作基底制备的ITO薄膜的光 电性能的影响。结果表明， 在 以石英为基底 的氧化铟锡透明导电膜 ，在气压 0．7Pa、溅射功率 45w 条件下，基片温度为 300℃，溅 射时间为 45min时，可见光透过率达 83 ，方块 电阻达到 5n左右 。 关键词：氧化铟锡薄膜；脉冲磁控溅射；石英 中图分类号 ：TB321 文献标志码 ：A Preparation andphotoelectricpropertiesofITO thinfilms depositedon quartzsubstrate XU Shulin ， HU Zhiqiang ， ZHANG Linan ， NIE M ingqi， ZHANG Haitao。 (1．InstituteofNew EnergyMaterial，DalianPolytechnicUniversity，Dalianl16034，China； 2．JinzhouNew CenturyQuartz (Group)CompanyLimited，Jinzhou121000，China) Abstract：Transparentconductiveindium tinoxide(ITO)filmswerepreparedontoquartzsubstrateby pulsedmagnetron sputtering．Themicrostructureand surfacemorphology ofITO thin filmswas investigatedbyX ray diffraction and scanning electron microscope，in orderto gain the excellent electricalandopticalproperty．The effectofsputtering time，suhstratetemperatureand deposition pressureon theITO filmswerestudied．Theresultsindicatedthatthevisiblelighttransmissionrate of83 sheetresistancereaches5Q atquartzsubstratein an indium tin oxide (ITO)transparent conductivefilm ，pressure 0．7 Pa， sputtering power 45 W ， substrate temperature 300 ℃ and sputtering tim e45min． Keywords：ITo films；pulsedmagnetron sputter；quartz 0 引 言 示器 、薄膜晶体管制造、红外辐射反射镜涂层 、太 阳能电池