半导体物理与器件20153.ppt

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半导体物理与器件20153概要1

被电子占据的概率 未被电子占据的概率 Maxwell-Boltzmann Approximation 练习题 P73 3.37, 3.38/P76 3.40,3.41 第四章 平衡半导体 平衡半导体(The Semiconductor in Equilibrium)是指半导体处于平衡状态或热平衡状态,是指没有外界影响(如电压、电场、磁场或温度梯度等)作用于半导体上的状态。 本征半导体(Intrinsic Semiconductor)是指没有杂质原子和晶体结构缺陷的纯净半导体。 非本征半导体(Extrinsic or Doped Semiconductor)是指进行了定量施主(Donor)或受主(Acceptor)掺杂,从而使电子浓度或空穴浓度偏离本征载流子浓度产生多数载流子(Majority Carrier)电子(n-type)或多数载流子空穴(p-type)的半导体。 4.1半导体中的载流子 4.1.1电子和空穴的平衡分布 导带电子分布 价带空穴分布 4.1.2 n0方程和P0方程 导带电子 定义导带有效状态密度 价带空穴 定义价带有效状态密度 4.1.3 本征载流子浓度 EFi本征费米能级 ni本征载流子浓度 4.1.3本征费米能级位置 n0= p0 4.2掺杂原子与能级 掺杂半导体称为非本征半导体 施主donor杂质原子:杂质原子向导带提供了电子 ; N型半导体:由于施主杂质原子增加导带电子并不产生价带空穴; 受主acceptor杂质原子:杂质原子从价带获得电子 ; p型半导体:由于受主杂质原子在价带产生空穴,但不在导带产生电子; 4.2.2 电离能 波尔半径 角动量 4.2.2 电离能 4.3非本征半导体 4.3.1 电子和空穴的平衡状态分布 4.3.2 n0和p0的乘积 4.3.4 简并与非简并半导体 非简并Nondegenerate半导体:杂质原子在n型半导体中引入分立的、无相互作用的施主能级,而在p型半导体中引入分立的、无相互作用的受主能级; n型简并半导体:导带中的电子浓度超过了状态密度Nc时,费米能级位于导带内部;并不产生价带空穴; p型简并半导体:价带中的空穴浓度超过了状态密度Nv时,费米能级位于价带内部; 4.4 施主和受主的统计分布 电子占据施主能级的概率函数: 4.4.1概率分布函数 4.4.2 完全电离和束缚态 导带电子: 4.4.2 完全电离和束缚态 在室温下,施主能级基本上处于完全电离状态 ;受主原子也基本上处于完全电离状态。 第三章 固体量子理论初步 3.1 允带与禁带(Allowed and Forbidden Energy Bands) 3.1.1 能带的形成 (Formation of Energy Bands) 泡利不相容原理 (Pauli Exclusion Principle) 3.1.1 能带的形成 3.1 允带与禁带 3.1.2 Kronig-Penney Model 3.1.2 Kronig-Penney Model Bloch定理 3.1.2 Kronig-Penney Model 在区域Ⅰ, 0xa ,V(x)=0 在区域Ⅱ中,-bx0 ,V(x)=V0 EV0, β为实数;EV0, β为虚数 3.1.2 Kronig-Penney Model x=0, 周期性和连续性,u1在x=a与u2在 x=-b相等, u1(0)=u2(0) A+B-C-D=0 (α-k)A-(α+k)B-(β-k)C+(β+k)D=0 u1(a)=u2(-b) 3.1.2 Kronig-Penney Model 根据边界条件,解齐次方程组 由于关注EV0, β为虚数, 令β=jγ 令势垒宽度b→0,势垒高度V0→∞, b V0乘积仍然有限 3.1.3 K空间能带图 3.2 固体中电传导 3.2.1 能带和键模型 3.2.2 漂移电流 (Drift Current) 3.2.3 电子的有效质量 m*有效质量 对自由粒子,m是常数 对允带底电子, m*为正数 3.2.4 空穴的概念 对允带顶电子, m*为负数 定义:允带顶的粒子为空穴带正电荷,mp*为空穴的有效质量,具有正值 3.2.5 金属、绝缘体和半导体 3.2.5 金属、绝缘体和半导体 金属Cu、Ag、Au 氧化物ReO3、IrO2、 RuO2 3.3能带三维扩展 有效质量与k方向的关系: 有效质量与导带最小值处的曲率有关,曲率越大,有效质量越小。 3.3.1 硅和砷化镓的k空间能带图 直接带隙半导体 间接带隙半导体 3.3能带三维扩展 直接带隙半导体(Direct Bandgap Semiconductor):导带最小能量与价带最大能量具有相同的k坐

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