半导体物理与器件1.ppt

第一章 固体晶体结构 1.1 半导体材料 ⅡB ⅢA ⅣA ⅤA ⅥA B C N O Al Si P S Zn Ga Ge As Se Cd In Sn Sb Te 第一章 固体晶体结构 元素半导体 Si、Ge、C、 化合物半导体（高速器件和光电器件） AlP、GaP、 GaAs、InP GaN（微波、蓝光器件）、CdTe（薄膜太阳能电池）、SiC（高功率器件） AlGaAs、AlGaN CuInGaSe(CIGS) 、 CuZnSnS(CZTS) （薄膜太阳能电池） 氧化物半导体（高速器件和光电器件） ZnO、TiO2、SnO2 、AlxZn1-xO、GaxZn1-xO、InxSn1-xO2 BaNbxTi1-xO3 1.1 半导体材料 第一章 固体晶体结构 晶体的三种类型的示意图：(a)无定型 (b)多晶 (c)单晶 1.2 固体类型 第一章 固体晶体结构 有序化区域是指原子或分子有规则或周期性几何排列的空间范畴。 无定型材料只在几个原子或分子的尺度内有序。 单晶区域也称晶粒，在许多个原子或分子的尺度内有序的空间范畴。 多晶材料是由多个有序化区域构成的材料，它们由晶界相分离。 单晶材料则在整个范围都有很高的几何周期性。 1.2 固体类型 第一章 固体晶体结构 1.3.1原胞（Primitive Cell）和晶胞(Unit Cell) 晶胞是可以复制出整个晶体的一小部分晶体，晶胞并非只有一种结构。 原胞是可以通过重复形成晶格的最小晶胞。 1.3 空间晶格 第一章 固体晶体结构 1.3.2基本的晶体结构 简立方SC,Simple Cubic 体心立方BCC,Body-Centered Cubic 面心立方FCC,Face-Centered Cubic 三种晶格类型：(a)简立方 (b)体心立方 (c)面心立方 第一章 固体晶体结构 1.3.2基本的晶体结构 晶体中的原子体密度：体心立方 假设晶格常数a=0.5nm=5*10-8cm 体密度＝ 个原子/cm3 第一章 固体晶体结构 1.3.3 晶面和密勒指数 三种晶面：(a)（100）平面 (b) （110）平面 (c) （111）平面 第一章 固体晶体结构 原子面密度 简立方SC,Simple Cubic 体心立方BCC,Body-Centered Cubic 面心立方FCC,Face-Centered Cubic 第一章 固体晶体结构 晶向 三种晶向和晶面：(a)(100)平面和[100]方向 (b) (110)平面和[110]方向 (c) (111)平面和[111]方向 第一章 固体晶体结构 1.3.4金刚石结构(Diamond) 金刚石结构可以看着面心立方结构沿体对角线平移1/4距离所形成的复试晶格 也可以看着是由缺四个顶角原子的体心立方结构堆积而成。 硅具有金刚石结构 GaAs具有闪锌矿结构，也可以看着是由不同原子交替的金刚石结构 第一章 固体晶体结构 金刚石结构 第一章 固体晶体结构 GaAs闪锌矿结构 第一章 固体晶体结构 1.4原子价键（Atomic Bonding） 离子键（Ionic Bond）NaCl 共价键（Covalent Bonding）Si 金属键（Metallic Bonding）Cu 分子键（范德华键）（Van der Waals Bond）H2O 第一章 固体晶体结构 1.5固体中的缺陷与杂质 点缺陷（Point defect):空位Vacancy、填隙Interstitial 空位－填隙缺陷（弗兰克尔缺陷Frenkel） 空位－表面原子缺陷（肖脱基缺陷Schottky） 线缺陷（Line defect):位错Dislocation 刃位错(edge)、螺位错(Screw) 第一章 固体晶体结构 1.5固体中的缺陷与杂质 替位（取代）杂质 Substitutional Impurity 填隙杂质 Interstitial Impurity 第一章 固体晶体结构 1.6半导体材料的生长 熔体法（直拉单晶法）Czochralski 外延法Epitaxial: 气相外延CVD(Chemical Vapor Deposition)、PVD(Physical Vapor Deposition)、液相外延Liquid-phase Epitaxy、分子束外延MBE(Molecular Beam Epitaxy)、脉冲激光沉积PLD（Pulsed Laser Deposition ）、原子层沉积ALD（Atomic Layer Deposition ） 练习题 P8: E1.1,E1.2/P9 E1.1,P12 T1.1 P10: E1.4加上（