第5章屏蔽技术2 通风孔
5.5 屏蔽材料 5.5.1 导磁材料 根据磁屏蔽理论, 磁屏蔽是利用由高导磁材料制成的磁屏蔽体, 提供低磁阻的磁通路使得大部分磁通在磁屏蔽体上的分流, 来达到屏蔽的目的。 因而磁导率成为选择磁屏蔽材料的主要依据。 表2-1和表2-2给出的常用材料的电特性能参数中, μr值是直流情况下的相对磁导率, 事实上磁屏蔽所采用的铁磁性材料, 其相对磁导率μr不是常数, 而是外加磁场强度及场的变化频率的函数。 通常磁性材料分为弱磁性材料和强磁性材料两种。 弱磁性材料: 顺磁性物质(如铝等金属); 抗磁性物质(如铜等金属)。 强磁性材料: 铁磁性物质(如铁、 镍等金属)。 弱磁性材料的特点是: 相对磁导率μr=1, B与H是线性关系, μr在任意频率的环境中, 始终保持常数。 铁磁性材料的特点是: B与H为非线性关系, 频率增高, 磁导率μr降低。 因而在进行磁屏蔽设计时, 应根据实际情况选定μr, 否则就会产生过大的误差, 使屏蔽的定量设计失去了应有的作用。 铁磁性材料的磁化曲线及μr随频率的变化关系曲线分别如图5-17及图5-18所示。 图 5-17 铁磁材料的μr-H曲线 图 5-18 铁磁材料的μr-f曲线 2. 反射损耗R的计算 反射损耗是由屏蔽体表面处阻抗不连续性引起的, 计
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