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2017-07-03 发布于河南
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STGB10NB40LZT4;中文规格书,Datasheet资料

STGB10NB40LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D²PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH™ IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB10NB40LZ CLAMPED 1.8 V 20 A POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN LOW THRESHOLD VOLTAGE LOW ON-VOLTAGE DROP 3 LOW GATE CHARGE 1 2 HIGH CURRENT CAPABILITY D PAK HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM designed an advanced family of IGBTs, the ™ PowerMESH IGBTs, with outstanding performances. The built in collector-gate zener exhibits a very precise active clamping while the gate-emitter zener supplies an ESD protection. APPLICATIONS AUTOMOTIVE IGNITION ORDERING INFORMATION SALES TYPE MARKING PACKAGE PACKAGING STGB10NB40LZT4 GB10NB40LZ D2PAK TAPE REEL August 2003 1/10 / STGB10NB40LZ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCES Collector-Emitter Voltage (VGS = 0) CLAMPED V VECR