第9章半导体1气敏试卷.ppt

直热式气敏器件的结构及符号 (a) 结构； (b) 符号 直热式器件是将加热丝、 测量丝直接埋入SnO2或ZnO等粉末中烧结而成的， 工作时加热丝通电，测量丝用于测量器件阻值。 这类器件制造工艺简单、成本低、功耗小，可以在高电压回路下使用， 但热容量小，易受环境气流的影响，测量回路和加热回路间没有隔离而相互影响。 国产QN型和日本费加罗TGS＃109型气敏传感器均属此类结构。 旁热式气敏器件的结构及符号如图9-4所示。 旁热式气敏器件的结构及符号 (a) 旁热式结构； (b) 符号 将加热丝放置在一个陶瓷管内，管外涂梳状金电极作测量极，在金电极外涂上SnO2等材料。 旁热式结构的气敏传感器克服了直热式结构的缺点，使测量极和加热极分离， 旁热式气敏器件的结构及符号 (a) 旁热式结构； (b) 符号 而且加热丝不与气敏材料接触，避免了测量回路和加热回路的相互影响， 器件热容量大，降低了环境温度对器件加热温度的影响， 所以这类结构器件的稳定性、可靠性都较直热式器件好。 国产QM-N5型和日本费加罗TGS＃812、813型等气敏传感器都采用这种结构。 2. 非电阻型半导体气敏传感器 非电阻型气敏器件也是半导体气敏传感器之一。 它是利用MOS二极管的电容—电压特性的变化以及MOS场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压的变化等而制成的气敏元件。 由于器件的制造工艺成熟，便于器件集成化，因而其性能稳定且价格便宜。 利用特定材料还可以使器件对某些气体特别敏感。 (1) MOS二极管气敏器件 MOS二极管气敏元件制作过程: 在P型半导体硅片上，利用热氧化工艺生成一层厚度为50~100nm 的二氧化硅(SiO2)层， 然后在其上面蒸发一层钯(Pd)的金属薄膜，作为栅电极，如图9-5(a)所示。 MOS二极管结构和等效电路 (a) 结构； (b) 等效电路； (c) C-U特性 由于SiO2层电容Ca固定不变，而Si和SiO2界面电容Cs是外加电压的函数，因此由等效电路可知，总电容C也是栅偏压的函数。 由于钯对氢气(H2)特别敏感，当钯吸附了H2以后，会使钯的功函数降低，导致MOS管的C-U特性向负偏压方向平移。 根据这一特性就可用于测定H2的浓度 (2) MOS场效应晶体管气敏器件 钯－MOS场效应晶体管(Pd-MOSFET)的结构，参见图9-6。 钯—MOS场效应晶体管的结构 由于Pd对H2很强的吸附性，当H2吸附在Pd栅极上时，会引起Pd的功函数降低。 由MOSFET工作原理可知，当栅极(G)、源极(S)之间加正向偏压UGS，且UGSUT(阈值电压)时，则栅极氧化层下面的硅从P型变为N型。 钯—MOS场效应晶体管的结构 这个N型区就将源极和漏极连接起来，形成导电通道，即为N型沟道。 此时，MOSFET进入工作状态。 若此时，在源(S)漏(D)极之间加电压UDS，则源极和漏极之间有电流(IDS)流通。 ISD随UDS和UGS的大小而变化，其变化规律即为MOSFET的伏-安特性。 当UGSUT时，MOSFET的沟道未形成，故无漏源电流。 UT的大小除了与衬底材料的性质有关外，还与金属和半导体之间的功函数有关。 Pd—MOSFET气敏器件就是利用H2在钯栅极上吸附后引起阈值电压UT下降这一特性来检测H2浓度的。 9.1.4 气敏传感器应用 半导体气敏传感器的优点： 灵敏度高、响应时间和恢复时间快、使用寿命长以及成本低等，得到了广泛的应用。 按其用途可分为以下几种类型：气体泄露报警、自动控制、自动测试等。 表9-2给出了半导体气敏传感器的应用举例。 半导体气敏传感器的各种检测对象气体 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨