- 1、本文档共35页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
ROM 用于存放固定不变的数据,存储内容不能随意改写。工作时,只能根据地址码读出数据。断电后其数据不会丢失。ROM有固定 ROM(又称掩膜 ROM) 和可编程 ROM之分。固定 ROM 由制造商在制造芯片时,用掩膜技术向芯片写入数据,而可编程 ROM 则由用户向芯片写入数据。可编程 ROM 又分为一次可编程的 PROM 和可重复改写、重复编程的 EPROM 和 E2PROM。EPROM 为电写入紫外擦除型,E2PROM 为电写入电擦除型,后者比前者快捷方便。可编程 ROM 都要用专用的编程器对芯片进行编程。 RAM 由存储矩阵、译码器和读/写控制电路组成。它可以读出数据或改写存储的数据,其读、写数据的速度很快。因此,RAM 多用于需要经常更换数据的场合,最典型的应用就是计算机中的内存。但是, RAM 断电后数据将丢失。 RAM 可位扩展或字扩展,也可位、字同时扩展。通过扩展,可由多片小容量的 RAM 构成大容量的存储器。 RAM 有静态 RAM和动态 RAM 之分。静态 RAM(即SRAM)的存储单元为触发器,工作时不需刷新,但存储容量较小。动态 RAM(即 DRAM)的存储单元是利用 MOS 管具有极高的输入电阻( 1010 ?)、在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的,由于栅极电容存在漏电,因此工作时需要周期性的对存储数据进行刷新。 人有了知识,就会具备各种分析能力, 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书,广泛阅读, 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍,我们能丰富知识, 培养逻辑思维能力; 通过阅读文学作品,我们能提高文学鉴赏水平, 培养文学情趣; 通过阅读报刊,我们能增长见识,扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操, 给我们巨大的精神力量, 鼓舞我们前进。 * EXIT 半导体存储器 EXIT EXIT 半导体存储器 EXIT 概 述 第 9 章 半导体存储器 本章小结 随机存取存储器(RAM) 只读存储器(ROM) 9.1 概 述 主要要求: 了解半导体存储器的作用、类型与特点。 例如计算机中的自检程序、初始化程序便是固化在 ROM 中的。计算机接通电源后,首先运行它,对计算机硬件系统进行自检和初始化,自检通过后,装入操作系统,计算机才能正常工作。 二、半导体存储器的类型与特点 只读存储器(ROM,即Read-Only Memory) 随机存取存储器(RAM,即Random Access Memory) RAM 既能读出信息又能写入信息。它用于存放需经常改变的信息,断电后其数据将丢失。常用于存放临时性数据或中间结果。 例如 计算机内存就是 RAM ROM 在工作时只能读出信息而不能写入信息。它用于存放固定不变的信息,断电后其数据不会丢失。常用于存放程序、常数、表格等。 一、半导体存储器的作用 存放二值数据 主要要求: 了解 ROM 的类型和结构,理解其工作原理。 了解集成 EPROM 的使用。 理解字、位、存储容量等概念。 9.2 只读存储器 按数据写入方式不同分 掩模 ROM 可编程 ROM(Programmable ROM,简称 PROM) 可擦除 PROM(Erasable PROM,简称 EPROM) 电可擦除 EPROM(Electrically EPROM,简称 E2PROM) 一、ROM 的类型及其特点 写入的数据可电擦除,用户可以多次改写存储的数据。使用方便。 其存储数据在制造时确定,用户不能改变。用于批量大的产品。 其存储数据由用户写入。但只能写一次。 写入的数据可用紫外线擦除,用户可以多次改写存储的数据。 二、ROM 的结构和工作原理 4 ? 4 二极管 ROM 的结构和工作原理动画演示 (一) 存储矩阵 由存储单元按字 (Word)和位(Bit)构成的距阵 由存储距阵、地址译码器(和读出电路)组成 4 ? 4 存储矩阵结构示意图 W3 W2 W1 W0 D3 D2 D1 D0 字线 位线 字线与位线的交叉点即为存储单元。 每个存储单元可以存储 1 位二进制数。 交叉处的圆点 “ ”表示存储 “1”;交叉处无圆点表示存储 “0”。 当某字线被选中时,相应存储单元数据从位线 D3 ~ D0 输出。 单击鼠标请看演示 1 0 1 1 1 0 1 1 从位线输出的每组二进制代码称为一个字。一个字中含有的存储单元数称为字长,即字长 = 位数。 W3 1. 存储矩阵的结构与工作原理 2. 存储容量及其表示 用“M”表示“1024 K”,即 1 M = 1024 K = 210 K =
您可能关注的文档
- 沉积相概念和综合分类教程.ppt
- 第9课古代科技与思想文化二试卷.ppt
- 第八章细胞核(细胞生物学)试卷.ppt
- 第9课辉煌灿烂的文学试卷.ppt
- 第八章细胞质遗传试卷.ppt
- 电子白板的使用方法技巧教程.ppt
- 第9课甲骨文与青铜器试卷.ppt
- 第八章细菌和噬菌体的重组和连锁试卷.ppt
- 第八章现代货币的创造机制讲述试卷.ppt
- 第9课建设社会主义文化强国第10课文化建设的中心环节(新授课)()试卷.ppt
- 《GB/T 10810.3-2025眼镜镜片 第3部分:透射比试验方法》.pdf
- 中国国家标准 GB/T 45283.2-2025工业控制系统人机接口组态文件交互 第2部分:基础交互描述.pdf
- 《GB/T 45283.2-2025工业控制系统人机接口组态文件交互 第2部分:基础交互描述》.pdf
- GB/T 45283.2-2025工业控制系统人机接口组态文件交互 第2部分:基础交互描述.pdf
- 中国国家标准 GB/T 10810.3-2025眼镜镜片 第3部分:透射比试验方法.pdf
- GB/T 10810.3-2025眼镜镜片 第3部分:透射比试验方法.pdf
- 《GB/T 27995.1-2025半成品镜片毛坯 第1部分:单焦和多焦》.pdf
- GB/T 27995.1-2025半成品镜片毛坯 第1部分:单焦和多焦.pdf
- 中国国家标准 GB/T 27995.1-2025半成品镜片毛坯 第1部分:单焦和多焦.pdf
- 《GB/T 10810.5-2025眼镜镜片 第5部分:表面耐磨试验方法》.pdf
文档评论(0)